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azo透明导电薄膜的制备及其光学与电学性能分析word格式论文
AbstractAluminum-dopedZnO(AZO)filmsarewidelyusedinthin-filmsolar photovoltaiccells,organiclightingdiodes,liquid-crystaldisplaysbecauseofits excellentpropertiesofopticalandelectrical,inexpensive,nontoxic,andhighstability inhydrogenplasmaatmosphere.Anditisconsideredtobeoneofthemostpromising transparentelectrodematerials.Inthispaper,firstly,theorthogonaldesignis employedtoascertainthesequenceoftheinfluenceoffactorsandoptimizethebasic preparationprocessesofAZOfilmswhichisdepositedbypulselaserdeposition.And then,influencesofdepositconditionsofhomo-bufferlayerontheperformanceof AZOfilmsareinvestigatedtofurtheroptimizethedepositionparametersof homo-bufferlayer.Atlast,uniformthinfilmsofAZOhavebeendepositedon5-inch glasssubstratebaseontheoptimumtechnologicparameters.Themainresearch contents and results canbe summarized as follows:TheoptimumtechnologicparametersofthedepositionofAZOfilmswith homo-buffer layer areobtained (substratetemperature300oC, oxygen pressure0mTorr, depositiontime45min,laserenergy350mJ)byusingorthogonaldesign.Andthe influencesequenceofgrowthparametersforAZOfilmsissubstratetemperature oxygenpressuredepositiontimelaserenergy.TheAZOfilmdepositedunderthe optimalparametershashightransmittance(88.3%)andlowresistivity (2.63×10-4?·cm).ThequalitiesofAZOfilmscanbeimproveddramaticallybyinsertinga homo-bufferlayerbetweenAZOfilmandglasssubstrate.Andthen,influencesof differentsubstratetemperature(30oC,100oC,500oC)anddifferentoxygenpressure (0mTorr, 40mTorr, 200mTorr) of homo-buffer layer on structural, optical, and electrical properties of AZO films are investigated. The experiment results demonstratethatsuitabledepositiontemperatureandoxygenpressureofhomo-buffer layerarebeneficialtoobtainAZOfilmswithgoodopticalandelectricalproperties. AZOfilmwithlowresistivity(2.13×10-4?·cm)andhightransmittance(above89.1%) hasbeenobtainedbysyntheticallyoptimizinggrowthparametersofAZOfilmsand homo-buffer layer.The5 inch AZOfilms aredepositedbyutilizingthe laserbeam scanningove
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