第14章 半导体器件习题.ppt

第 14 章 二极管和晶体管 1. P 型半导体中空穴是多数载流子，因而 P 型半导体正电；N 型半导体中自由电子是多数载流子，因而 N 型半导体带负电。这种说法是否正确。 【答】这种说法不正确。P 型半导体和 N 型半导体本身并 不呈带电性。 返 回 下一题 上一题 分析与思考解答 返 回 下一题 上一题 2. 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子运动？ 【答】 因为扩散运动是多数载流子因为浓度上的差异而形成的运动，而漂移运动是少数载流子在内电场作用下形成的运动。 3。 试从正向电压，反向饱和电流的大小以及温度的影响等方面比较，硅管和锗管的优点。 【答】 从正向电压降看，硅管的正向电压降比锗管的大，这是锗管的优点;从反向饱和和电流看,硅管的反向饱和电流比锗管小，这是硅管的优点；从温度的影响看，温度增加时,会引起反向饱和电流增大，而反向击穿电压减小。这方面锗管比硅管对温度更为敏感，这也是锗管不如硅管的地方。 返 回 下一题 上一题 4. 试分析图 4 所示整流电路中的二极管 D2或 D4 断开时负载电压的波形,如果 D2 或 D4 接反，后果如何？如果 D2 或 D4 因击穿或烧坏而短路，后果如何？ 4 返 回 下一题 上一题 返 回 下一题 上一题 【答】 当D2或D4断开后,电路为单向半波整流电路.正半周时，D1和D3导通,负载中有电流通过,两端有电压uO = u2.负半周时,D1和D3截止,负载中无电流通过,两端无电压uO=0.波形如图8.3(b)所示. 如果D2或D4反接，则正半周时，二极管D1，D2 或 D3，D4导通，电流经 D1，D2 或 D3，D4 而造成电源短路,电流很大,因此电源及 D1，D2 或 D3，D4 将烧坏； 如果 D2 或 D4 因击穿或烧坏而短路，则正半周时，情况与D2 或 D4 接反类似,电源及 D1 或 D3 也将因电流过大而烧坏。 5. 在图 5 所示的电路中，如 果 C 断路，负载直流电压有无 变化？变化了约百分之多少？ 如果 C 短路，后果怎样？ 【答】 如果 C 短路，负载直流直流电压由 1.2 U2变到了 0.9 U2，减小到短路前的 ，减小了约 25％。如 果 C 短路，D1，D3 或 D2 ，D4 及电源因电路短路而烧坏。 图5 返 回 下一题 上一题 6. 将图 6 所示的电路中的 R 改接到 DZ 之后（即 DZ 与 RL 之间），可否起稳压作用；会产生什么后果? 【答】不能起稳压作用，容易烧坏稳压管。 图6 返 回 下一题 上一题 7. 稳压电路中的限 流电阻 R = 0,是否可以？有 何后果？ 【答】限流电阻 R 一方面限制稳压管电流不会超过其 IZmax而免遭破坏，另一方面其上的电压起着电压调节作用，从而保证了稳压的效果，所以限流电阻 R 不能为零，否则稳压管易被烧坏。 图7 返 回 下一题 上一题 8.稳压电路中的稳压管接反了，有何后果? 【答】稳压管接反了，将与普通二极管一样处于正向导通状态，负载两端电压等于其正向电压。 返 回 下一题 上一题 9. 晶体管的 IB 一定时，IC 将随温度的变化而变化,尤其是锗管对温度更为敏感,这是为什么? 【答】 由于 IC =βIB+ ICEO，温度对穿透电流 ICEO 的影响较大，尤其是锗管，所以 IC 将随温度的变化而变化。 返 回 下一题 上一题 10. 已知有两个晶体管都工作与放大状态,测得他们的三个极的电位分别为－0.7 V，－1 V，－6 V 和 2.5 V，3.2 V，9 V,试判断三个极,并说明他们是 PNP 型，还是 NPN 型，是锗管还是硅管? 【答】 (1) 由于三个极的电位都为负值，故为PNP管，由于发射结应正向偏置，集电结应反向偏置，对PNP管来说，发射极电位应高于基极电位，集电极 电位应低于基极电位，故知三个极 分别为发射极 (－ 0.7 V ) ，基极 (－ 1 V ) ，集电极 (－ 6V）。 (2) 由于三个极的电位都为正值，故为 NPN 管，由于发射结应正向偏置，集电结应反向偏置，对 NPN 管来说，发射极电位应低于基极电位，集电极电位应高于基极电位，故知三个极 分别为发射极（2.5 V），基极（3.2 V），集电极（9V）。 返 回 下一题 上一题 11. 某晶体