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2018-04-23 发布于湖北
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Metalorganic vapor phase epitaxy Lecture „Compound Semiconductors: Physics, Technology and Device Concepts“ SS 2008 Prof. Dr. F. Scholz Institut für Optoelektronik, Universität Ulm, 89081 Ulm Literature: G.B. Stringfellow, Organometallic vapor-phase epitaxy, Academic Press, Boston 1989, 1999 R.J. Malik (Volume Ed.), F.F.Y. Wang (Series Ed.), Materials Processing, Theory and Practices, Vol. 7: III-V-Semiconductor Materials and Devices, North-Holland, Amsterdam, Oxford, New York, Tokyo 1989 CS: MOVPE 1 MOVPE process (schematically) All material transported in the gas phase to the substrate Quartz Tube TMGa Transport to Thermal cracking the substrate of molecules AsH3 Growth H 2 Substrate Susceptor Heating (~700°C) Overall Equation: (CH ) Ga + AsH GaAs + 3 CH 3 3 3 4 CS: MOVPE 2 MOVPE system (schematically) H in 2 Hydride MFC Valve Mass Flow