比亚迪（BYD)LCD工艺流程与技术发展.pptVIP

定向段 TOP前清洗 TOP印刷 TOP主固化 PI前清洗 PI印刷 PI主固化 PI预固化 摩擦 清洗 PI印刷：电压主要影响因素，定向效果的关键 评价手段：膜厚、尺寸位置、均匀性 固化：主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段：温度均匀性、升温曲线 摩擦：用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽 评价手段：蒸汽检查摩擦效果 后段 切割 断粒 插条 灌晶 加压封口 清洗 电测 分色 二次清洗 贴片 COG TAB 模组 C/F製作技術介紹 乾膜轉印法 顏料分散法 印刷法 乾膜轉印法 顏料分散法-1 顏料分散法-2 印刷法-1 印刷法-2 印刷法-3 印刷法-4 LCD发展 TFT的结构-1（顶栅极） TFT的结构-1（底栅极） TFT各层材料、厚度、电阻参数 七次光刻的TFT阵列工艺原理 一、在玻璃基板上溅射Mo/Ta制作栅极 二、在栅电极上沉积氧化硅 三、在氧化硅制作氮化硅形成高质量栅极绝缘膜 四、在栅极绝缘膜上形成半导体有源层 五、制作实现欧姆接触的掺杂有源层 六、制作漏电极、源电极、漏电极数据信号线、源电极接像素电极 七、制作氮化硅保护膜 溅射 清洗 旋涂 曝光 显影 蚀刻、脱膜 第一步、溅射金属膜，形成栅极与存储电容电极 第二步、PECVD沉积SiOx，形成栅极氧化膜 SiH4+O2 SiOx+H2+H2O 第三步、PECVD沉积SiNx,形成双层绝缘保护层 SiH4+N2 SiNx+H2+NH3 第四步、CVD制备x-Si膜：采用CVD技术生长半导体x-Si膜 第五步、第二次光刻，形成TFT有源层图形 第六步、制作n+a-Si膜：防止反向漏电流， 同时 为了与源极和漏极形成欧姆接触 第七步、第三次光刻，形成非晶硅n+图形 第八步、ITO溅射，制作像素电极 第九步、第四次光刻，形成像素电极 第十步、第五次光刻，将存储电容上的 栅极氧化膜一部分去掉，形成Cs引线电极 第十一步、溅射Al或Ti等金属，制作漏电极、源电极 第十二步、第六次光刻，作出各电极图形 第十三步、CVD工艺制作SiNx保护膜 第十四步、第七次光刻，形成保护图形 七次光刻后图形 * LCD LCD工艺流程及发展现状 图形段 来料玻璃 清洗 涂感光胶 前烘 曝光 显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，溶剂洗等 评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查 涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶。 评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果 曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位 评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度 酸刻：盐酸、硝酸混合物，温度对酸刻效果影响大，温度过低生产效率降低快，过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去。也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。 评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀 LCD工艺制程 印框 预烘 点胶 贴合 热压 印点 预烘 喷粉 丝印：用聚酯、尼龙、钢网在单个CELL四周印刷一个起密闭作用的环氧树脂胶框，同时导通点起上下片导通作用 评价手段：丝印下胶量、热压后延展效果 热压：贴合后的玻璃在加压加热的环境下，环氧树脂交连固化，一般分热压夹具、气囊、热压机等几种热压方式 评价手段：水煮可靠性试验、拉力效果 制盒段 彩色化趋势 NTSC色飽和度 色饱和度问题 视角问题 集成化趋势 PLASMA ADDRESSED OTHERS 无定型硅 液晶显示分类 液晶 主动式 被动式 TFT MIM MOS DIODE OTHERS TN STN CSTN FLC 多晶硅 2）应用研究阶段（1960~1968） Williams研究向