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磁性元件设计对损耗和EMI的影响 陈 为 博士 chw@fzu.edu.cn 福州大学电气工程与自动化学院教授，博导 中国电源学会常务理事，专家委员会副主席 磁技术专业委员会主任委员 高性能LED驱动技术分享与实战技术研讨会 2013.04.20 宁波 主要内容 LED驱动电源的要求 磁性元件 磁件绕组高频损耗的机理 降低绕组损耗设计要点(LLC) 磁元件对差模噪声的影响机理 降低和控制差模噪声的设计要点(PFC) 磁元件对共模噪声的影响机理 降低和控制共模噪声的设计要点(Flyback) LED 电源的要求 高功率密度，高可靠性 体积小 损耗小 电容 磁元件 滤波器 磁元件 开关器件 拓扑 高频 原始 磁芯 器件 高频 设计 噪声小 绕组 控制 磁元件设计考虑要点 结构设计 电气设计 杂散参数 损耗设计 EMI设计 N 2 Ae L l e 导体高频涡流损耗机理 集肤效应 J(r) H(t) H(t) Jtotal Jeddy Jeddy Jsource r r i(t) Jsource -R 0 R Jtotal = Jsource + Jeddy 邻近效应 H(t) Jeddy 气隙 由于涡流效应，导致电流密度分布不均匀，从而引起损耗的增加