实战-设计中MOS和电容应用.pptxVIP

元器件总结;目录;MOS管的电平转换作用：一、注意：1、电平转换可以是正逻辑转换，也可以反逻辑转换。转换模型如下：;2、在电平转化时，可以将高电压转为低电压，也可以将低电压转换成高电压。转换模型如下：;1、在915的中LVDS的电平转换。915中的L_BKLTCTL、L_BKLTEN、L_DDC_CLK、L_DDC_DATA是2.5V的，它们去控制的器件端口电压是3.3V的，所以要进行电平转换。以对L_BKLTCTL转化为例。图中，L_BKLTCTL为“1”时为2.5V，此时MOS管的栅极-源极电压为0V，MOS管不导通，L_BKLTCTL_3V的电平是3.3V为“1”。L_BKLTCTL为“0”时为0V，此时MOS管的栅极-源极电压为2.5V，MOS管导通，L_BKLTCTL_3V的电平是L_BKLTCTL 的电平0V为“0”。;如果输入信号属于OD信号还需要加上拉，如图所示。 ;此处的选件原则如下：极限参数：以Q33为例，首先要是选取极限参数都满足主板上的要求的MOS，如下图所示。此处MOS管导通时3.3V通过管子向L_BKLTCTL灌电流，所以上拉电阻R426的选取要合适。 ;价格：尽量便宜。开关速度：电平转换速度有时也是指标之一，有些器件对电平上升下降的时间有要求，此处的MOS管开关速度如下图所示，可以满足要求。;在965上LVDS中电压选择开关信号的电平转换。 ;MOS管的电子开关作用： 注意 作电子开关是MOS管在主板上最多的应用形式，要考虑的问题有：1、管子能承受的最大电流，或最大功耗。2、管子的导通等效电阻（BUCK电路中有要求）3、开关控制信号的特点如果是小电压大电流的控制信号则可以考虑用三极管。4、管子的开关特性是否适合高频开关。 ;主板上的应用1、MOS管在VGA假负载中的应用 由于在启动时如果系统没有检测到VGA负载则会进入LVDS模式，所以调测时需要做假负载，使系统不接VGA显示器时进入VGA模式，当接VGA显示器时假负载失效。具体设计如下;极限参数：以Q39为例，首先要是选取极限参数都满足主板上的要求的MOS，如下图所示。;开启电压：当不接显示器时，GND_DISPLAY信号悬空，约等于5V2.1V的开启电压 ;MOS管在965中VDD_LCD选择中的应用 ;最大导通电流：此处MOS管作为电源的通道需要考虑其最大承受的电流。;MOS管在主板BUCK电路中的应用。 ;BUCK电路通过两个开关Q17和Q18（并接Q19）来控制输出电压的。Q17是充电开关，导通时12V直接给输出和电感、电容供电。Q18（并接Q19）是续流开关，导通时给电感、电容放电提供续流回路。;开关速度：电源的开关速度没有高频线路要求高所以开关时间要求较低。FDD8896如下：;导通电流：但是BUCK电路中的MOS管对导通电流的要求比高频电子开关管高。2N7002A如下：;导通内阻：BUCK对MOS管的导通内阻要求很大，较大的导通内阻会影响转换效率。;MOS管、三极管的选取原则;MOS管是电压控制电流器件，输入电阻很大，所以可以用于输入电阻较大的场合。上图中，VCC5SB的电流提供能力较弱，设计时（ATX电源的5VSB：1.1A分别分给了VCC3_3SB:1A和VCC5SB:0.01A）往往只有0.01A。而且VCC5SB的电压相对于MOS管的开启电压较大很可靠，所以此处开关应用MOS管做开关。;选择MOS管还是三极管的条件例二：;图中ISL6545CBZ是电源模块，其本身的消耗电流如下：;总结：1、主板上的应用主要是开关作用和电平转换。2、MOS管和三极管的选择原则： ;电容的分类及用法;当频率达到LCR谐振频率时电容的阻抗最小，该频率的信号最容易通过电容。但是当电路频率高于电容的自谐振频率后，频率越高电容显感性阻抗越来越高，使旁路作用大大下降。自谐振频率受电容值的大小和等效电感的大小决定。电容越大自谐振频率越低，等效电感越大自谐振频率越低。自谐振公式如下：;一般0.1uF的表面贴电容的等效电感有3nH。那么，它的自谐振频率为： ;下表为通常情况下容值对应的滤波频率（自谐振频率）。 ;一、滤波电容作用（旁路或去耦，至少在摆放位置上这两者是一样的）：;个人认为：滤波电容就是要在任何情况下，保证供给给器件的电源或信号质量可以被接受。具体有一下几点。1、负载突然增大电流的需求时，短时间内供给负载电流，保证输入端电压没有大的下降（相当于滤除低频信号）。2、在干扰（高频）进入负载前将其滤除。;电容重要参数作用。 ;过孔与旁路电容的放置要点。如下：;例1; VCC5给BUCK电路供电，MOS管在开启关闭时会有过冲现象 因而需要在VCC5输入端有并联旁路电容。其中，小容值（sma