西电801半导体物理1999至2014年17类大题与考频.pdfVIP

1 k 、 空间 k空间：量子力学中用k空间描述能量E 的量子化 n 3 k空间为晶体点阵，k （L为线度 ，L V 为晶体体积），每一个点上有一个量子 L 1 1 ，则每一个量子态所占的空间为  ，即量子态密度为V，如果计入量子自旋，为2V。 L V3 （1维为2L，二维为2L 2S2 ，三维为2V） E 导带附近的E—k关系（极小值为 ）： C （2007，三，1，⑴、⑵；2007，三，2，⑴、⑵）  一维、导带极小值位于k=0处 2 2 hk Ek( )E  C * 2m n  二维、导带极小值位于 0,0 处，圆形等能线（有效质量各向同性）   h2 2 2 Ek( ,k )E  k k  x y C 2m* x y n  三维、导带极小值位于0,0,0处，球形等能面（有效质量各向同性） h2 2 2 2 Ek( ,k ,k )E  k k k  x y z C 2m* x y z n  三维、价带极大值位于0,0,0处，球形等能面（有效质量各向同性） h2 2 2 2 Ek( ,k ,k )E  k k k  x y z V 2m* x y z p  三维、导带极小值位于k ,k ,k 处，椭球等能面（有效质量各向异性） ox oy oz 2 Ek( ,k ,k )E h2 k kx ox 2 k ky oy  k kz oz 2  x y z C 2  m* m* m*   x y z  2 g E 、状态密度 （）相关计算 （2000，二，4；2005，二，1；2007，三，2，⑶、⑷；2012，三，3；2014，二，1，2） 状态密度：能带中能量E 附近每单位能量间隔内的量子态数，可以理解成载流子 “所居住 的房子”是怎样在能量场中分布的（数量的分布），即它是能量的函数。 dZ “所居住的房子”——量子态，用Z表示量子态的数量，则gE( ) dE  一维（导带底） 已知量子态线密度为2L * 2m 长度为k空间中的