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美维培训研究中心 机理： 阴极：Sn2++2e Sn 2H+ +2e H2 阳极：Sn-2e Sn2+ 注意：Sn2+很容易被水解和氧化，使溶液变浑浊。 美维培训研究中心 操作条件 温度 温度升高，允许电流密度增大，沉积速度快； 但过高，会加速添加剂的消耗，加速Sn2+氧化， 溶液很快浑浊。 电流密度： 电流密度升高，沉积速度加快，但电流太大， 镀层粗糙。 电源： 电源的波纹系数应小于 5%. 搅拌：不可用空气搅拌，防止Sn2+被氧化。 槽名 控制参数 控制点 控制范围 镀锡前酸浸 硫酸(ml/L) 100 80~120 镀锡 温度(℃) 22 19~25 硫酸(ml/L) 100 90~110 硫酸亚锡(g/L) 40 35~45 EC-PartB(ml/L) 40 30~50 EC-PartA(ml/L) 20 15~25 Hull Cell Test / 合格 过滤机压力(Kg/cm) / 0.5~2.0 主要工艺参数 易出现问题 槽名 问题 后果 原因 解决办法 镀锡槽 镀锡厚度不足 无法保护线路 锡球不足 定期加锡球 镀锡电流密度不足 按照电镀指示打电流 药水不合格 定期化验分析 镀锡不均匀 蚀刻不尽 有机污染严重 定期活性炭过滤 水洗槽 无法将板子洗干净 污染板面 水洗流量不足 按照文件规定控制 空气搅拌不足 烘干 不能将板面烘干 锡面氧化导致退锡困难 烘箱温度太低 按照文件规定控制 下板 下板动作不规范 划伤线路造成报废 人员熟练度 培训 去膜 目的：将抗电镀用的干膜从铜表面除去。 药水：NaOH溶液。且由于钾会攻击锡镀层，一 般不用KOH. 设备：SES线 在外层图形制作中，去膜、蚀刻、退锡，在一 条生产线上。 SES线去膜段 去膜 槽名 控制参数 控制点 控制范围 去膜段 传送速度 3.4 3.0~3.9 退膜点 55% 50%~60% 温度 45 42~48 喷淋压力 上 2.0 1.5~2.5 下 1.7 1.2~2.2 NaOH浓度 25 22~28 四级水洗 流量(L/h) 650 500~1000 主要工艺参数 蚀刻 目的：将线路图形之外的铜除去。 设备：SES线 药水：碱性氯化铜蚀刻液 蚀刻 碱性氯化铜蚀刻液组成： 含水氯化铜、氯化铵、氨水、添加剂 蚀刻机理 CuCl2+4(NH3) Cu(NH3)4Cl2 Cu(NH3)4Cl2+Cu 2Cu(NH3)2Cl 2Cu(NH3)2Cl+2NH4Cl+2NH3+1/2O2 2Cu(NH3)4Cl2+H2O 影响蚀刻速率的因素 Cu2+浓度的影响 Cu2+是氧化剂，Cu2+浓度是影响蚀刻速率的主要因素。浓度高，蚀刻速率快，但过高，溶液不稳定，趋于产生沉淀。自动控制蚀刻系统中，铜浓度是以比重控制的。 Cu2+浓度一般140~170g/L 溶液PH值的影响 PH变化随蚀刻液内NH3含量而定。溶液PH值一般在8~10之间，低于8，蚀刻速率慢，对抗蚀层不利，且铜不能完全络合，易出现沉淀。过高，镀液中NH3过饱和，会进入大气，污染环境，并且会增大 侧蚀的程度。 氯化铵含量的影响 铜铵离子([Cu(NH3)2]+)的再生需要过量的NH3和NH4Cl，若氯化铵不足，会影响 [Cu(NH3)2]+的再生，降低蚀刻速率；浓度过高，Cl-会使抗蚀层浸蚀。一般控制在150g/L左右。 温度的影响 温度升高，蚀刻速率加快，但是过高，NH3挥发，污染空气并使溶液中化学组分失调。一般控制在45~55℃为宜。 蚀刻质量的评定 侧蚀 侧蚀系数 镀层增宽 镀层突沿 蚀刻速率 过蚀 溶铜量 槽名 控制参数 控制点 控制范围 蚀刻 温度(℃) 50 46-54 比重 1.205 1.19-1.22 PH值 8.30 7.90-8.80 Cu2+(g/L) 155 140-170 Cl-(M) 5.35 4.8-5.9 蚀刻速率(μm/Cycle) / 50-80 喷淋压力(Kg/cm2) 上 / 1.5-2.5 下 / 1.2-2.2 三级水洗 流量(L/h) 500 400-600 主要工艺参数 退锡 目的：除去保护图形的Sn镀层。 设备：SES线 药水：硝酸型退锡剂，主要成分：硝酸 添加剂：氧化剂、稳定剂、表面活性剂等 主要工艺条件 温度： 退锡剂退锡为放热反应，需要用冷水装置稳定 温度，使其保持30-40℃ 比重 为了提高退锡剂的使用效率，其比重可控制在1.35-1.45 退锡剂的效率 工作液的体积、槽