高纯金属的纯度分析方法.docVIP

高纯金属的纯度分析方法 1.1 高纯金属的概念 任何金属都不能达到绝对纯。“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于技术的发展，也常使“超纯”的标准升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级（即百万分之几）,而超纯半导体材料的杂质达ppb级（十亿分之几）,并将逐步发展到以ppt级（一万亿分之几）表示。实际上纯度以几个“9”(N)来表示（如杂质总含量为百万分之一，即称为6个“9”或6N），是不完整概念，如电子器件用的超纯硅以金属杂质计算，其纯度相当于9个“9”，但如计入碳，则可能不到6个“9”。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”（晶体缺陷），后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的，因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。比较明确的办法有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即一立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数（原子/cm2）来表示。而金属则可用残余电阻率表示。 1.2 高纯金属的纯度分析原则 高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质，不包括C ,O ,N ,H 等间隙元素，但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标，一般单独提出。依应用背景的不同，要求进行分析的杂质元素种类少则十几种, 多则70 多种。简单的说高纯金属是几个N(九) 并不能真正的表达其纯度, 只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。在高纯金属中要控制的主要杂质包括: 碱金属、碱土金属、过渡族金属、放射性金属(U , Th)。例如对于高纯钴, 一般要求碱金属、碱土金属、过渡族金属杂质单元素含量小于1×10- 4% ,放射性杂质元素的单元素含量小于1×10- 7 % , 间隙元素含量小于几十(10-4%)[1]。 高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准，例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99 % ,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/ 仅要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 个杂质元素, Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02，但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。 高纯金属中痕量元素的检测方法应具有极高的灵敏度，痕量元素的化学分析系指1g样品中含有微毫克级（10-6g/g）、毫微克级（10-9g/g）和微微克级（10-12g/g）杂质的确定。随着各学科研究的深入,待测元素含量越来越低，普通的滴定分析等无法准确测定痕量元素，因此促进了仪器测试技术不断发展，痕量、超痕量多元素的同时或连续测定已成为可能。常用的手段有质谱分析（采用电感耦合高频等离子质谱ICP-MS分析仪，金属中痕量杂质可达0.1ppb以下，分析灵敏度0.01ppb），中子和带电粒子活化分析（具有较高的灵敏度，如反应堆的种子通量位1013中子数/cm2?S时，可分析到10-9-10-10g范围），光谱分析（使用最多的是化学光谱法），X射线荧光光谱分析等。此外，半导体材料中的电离杂质浓度，通过霍尔系数测定，一些金属的纯度用剩余电阻率测定，微观结果可用扫描电镜、超微量元素的微区分析和表面分析用电子探针分析。 2 化学方法分析高纯金属纯度 2.1 质谱法 2.1.1 电感耦合高频等离子体质谱法( ICP-MS) ICP - MS技术是20 世纪80 年代发展成熟起来的一种痕量、超痕量多元素同时分析技术。ICP-MS 综合了等离子体极高的离子化能力和质谱的高分辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点, 检出限低至(0.001～0.1) ng/ml ,测定的线性范围宽达5～6个数量级, 还可测定同位素比值。ICP- MS 测定贵金属元素在国外从20世纪80年代后期就开始有报道。在我国直到20 世纪90年代中后期才开始研究。可以说在近十年的飞速发展中,该技术与不同的样品前处理及富集技术相结合成为现今痕量、超痕量贵金属分析领域最强有力的工具。用同位素稀释法测定回收率低的元素，已成为高纯金属多元素测定最有潜力的方法之一[3-6 ] 。 ICP-MS 测定贵金属元素时,选择恰当的待测元素同位素是很重要的。一般而言,同量异位干扰比多原子干扰严重,氧化物干扰比其他多原子干扰严重。因此,选择同位素总的原则是: 若无干扰,选择丰度最高的同位素进行测定;如果干扰小,可