门极换流晶闸管(gct)击穿机理的研究 research on the breakdown mechanism of gate commutated thyristor.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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门极换流晶闸管(gct)击穿机理的研究 research on the breakdown mechanism of gate commutated thyristor.pdf

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门极换流晶闸管(gct)击穿机理的研究 research on the breakdown mechanism of gate commutated thyristor

第3l‘卷第2期电子器件 V01．31No．2 Chinese 2008年4月 JournalOf‰№ Apr．2008 ：m ResearchontheBreakdownMechanismofGateCommutated Thyristor’ 、． WANGCai—lin’，GAO Li，LIUJing Yong，MA 710048，China) (DepartmentoyElectronicEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an Abstract：The structureandfeaturesofGateCommutated brieft- enduringvoltage Thyristor(GCT)wereanalyzed the and characteristicsfour weresimuh- ly．And of deviceswithvariousstructural blockingconducting parameters tedand MEDICIsimulator．ThebreakdownmechanismofGCTWaSresearched．Theresultshowsthat analyzedby thebreakdownofGCqisfield notthe is stop(FS)breakdownessentially，but punch outthe fortheGCTbreakdown mechanismhadlocalization pointed perspective ago． semiconductorCommutated Keywords：power devices；Gate Thyristor(GCT)；fieldstop anode；breakdown EEACC：2520；2530B；2560P；2560L 门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究* 王彩琳。，高勇，马丽，刘静 (西安理工大学电子工程系，西安710048) 摘型击穿。从而指出以往对G(汀击穿机理的认识存在局限性。关键词：电力半导体器件；门极换流晶闸管；场阻止层；透明阳极；击穿中图分类号：TN34；TN342．4 文献标识码：A 功率二极管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及晶闸种新型的电力半导体器件，由于其中含有缓冲层，所管等电力半导体器件通常采用非穿通(NPT)型和以，其阻断机理一直被认为是PT型击穿m]。为了穿通(PT)型[1]两种耐压结构。NPT型结构因其搞清楚