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聚酰亚胺薄膜的离子束改性及低温导电特性研究王晓强
DO I :10.16552/j .cnki .issn1001 -1625.2009.s1.023 2 8 硅 酸 盐 通 报 Vo.l28 SpecialEdition 2009 8 BULLETIN OFTHE CHINESE CERAMIC SOCIETY Augu,t2009 1 2 王晓强, 甄聪棉 (1., 066004;2., 0500 16) 12 15 2 : 3 MeV(PI), 1×10 ~ 1×10 ion/cm。 。 :, PI※ ※, , -CH-, 3 ;, , 。 。 :;;; :TB34 :A :100 1-1625 (2009 )-0183-0 3 ModifiedPolyimideFilm InjectedwithHighEnergyIon 1 2 WANGXiao-qiang, ZHENCong-mian (1.DepartmentofMaterialScience Engineering, NortheaternUniverityatQinhuangdao, Qinhuangdao066004, China; 2.CollegeofPhyicScienceandInformationEngineerin,gHebeiNormalUniverit,yShijiangzhuang050016, China) Abtrac:tPolymide(PI)film wereirradiatedby3 MeV iliconion atroom temperatur,e theion 12 15 2 fluencerangingifrom1×10 to1×10 ion/cm.TheampleweremeauredbyRamanpectraand electricalcharacteritic.AccordingtotheanalyiofRaman pectr,a tructureofPIfilm havea carbonizedtrendthatiinulato※r diamond-likecarbon※ graphit,e itindicate thatthoefunctional group uchabenzeneringand-CH-decreaedwiththeincreaingofmiplantationdoe.Theelectrical 3 meaurementreultindicatedthattheelectricreitancedecreaedwiththeincreaingofmiplantation doe.Carbonizationitheprmiereaonthatcauetheelectricreitancechanged. Keyword:polymiidefilm;highenergyion;injected;modified 1 引 言
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