蓝宝石衬底上单晶inalgan外延膜的rf-mbe生长 rf-mbe growth of inalgan epilayer on sapphire substrate.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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蓝宝石衬底上单晶inalgan外延膜的rf-mbe生长 rf-mbe growth of inalgan epilayer on sapphire substrate.pdf

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蓝宝石衬底上单晶inalgan外延膜的rf-mbe生长 rf-mbe growth of inalgan epilayer on sapphire substrate

第卷第期半导体学报 27 8 VO1.27 NO.8 年月 2006 8 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Au . 2006 g 蓝宝石衬底上单晶InAlgaN 外延膜的RF-MBE生长% 王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽T 中国科学院半导体研究所北京 100083 摘要!利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶IHA1GaN 薄膜在生长. 外延层时获得了外延膜的二维生长卢瑟福背散射测量结果表明外延层中和的组 IHA1GaN . IHA1GaN IH A1 Ga 分分别为和并且元素的深度分布比较均匀三晶射线衍射摇摆曲线的半高宽为 2 22 76 .IHA1GaN 0002 X 4.8,.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为 2.2Hm.利用光电导谱测量 IHA1GaN 的带隙为 3.76eV. 关键词! 铟铝镓氮 RF-MBE RHEED XRD AFM PACC 7280E 7360F 3220R 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN304.054 A 0253-4177 2006 08-1382-04 单晶InAlgaN 四元合金光致发光测量中看到带边 8 引言发光年等人生长出了高质量的 I .1999 Aumer In-