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蓝宝石衬底上algan外延材料的低压mocvd生长 growth of algan epilayers on sapphire by low pressure metal organic chemical vapor deposition
SEMICoNDUCToRoPTOELECTRoNICSV01.28No.6 Dec.2007
赵 红1,邹泽亚1’2,赵文伯1,杨晓波1,
刘 挺1,廖秀英1,王 振1,周 勇1,刘万清1
2.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054)
(1.重庆光电技术研究所,重庆400060;
摘 要: 采用低温AlN成核层在l
较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到
2×103
Pa后,A1GaN外延层的生长速率和固相A1组分都显著提高。
关键词: MOCVD;AlGaN;低温核化层
中图分类号:TN304.054;
Gro袖of铷QlN n麟l鹏Metalal锄jcal
EpilayerS蚰sappllireby“w 0_罾Injc VaporE印吲ti衄
ZHAO Wen_b01,YANGXiao也01,
Hon91,ZOUZe—yal~,ZHAO
LIU Zhenl,ZHOU
Tin91,I。IAOXiu—yin91,WANG Yon91,LIUWan—qin91
of
Research Electronic
(1.ChongqingoptoelectronicsInstitute,Chongqing400060,CHN;2.StateKeyLaboratory
ThinFilmsand ofElectronicScienceand of 610054,CHN)
IntegratedDevices,University TechnologyChina,Chengdu
A1GaN were on low metal
Abstract: ep订ayersgrownsapphire(0001)bypressureorganic
of1 1 GaNbuffer
chemical atsubstrate 80℃ without layer,
vapourdeposition temperature
low AlNnucleation surfaceswereobtainedonthe
utilizingtemperature layer.Specular epilayers
Al than curve
with toO.6,thichness diffraction
compositionup greater1弘m,andX—ray rocking
FWHMof(0002)reflectionaround853arcsec.Thereductionof from50mbar
growthpressure
mbar ofboth rate
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