蓝宝石上高电子迁移率algangan材料的研究 study of high electron mobolity algangan materials grown on sappire substrates.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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蓝宝石上高电子迁移率algangan材料的研究 study of high electron mobolity algangan materials grown on sappire substrates.pdf

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蓝宝石上高电子迁移率algangan材料的研究 study of high electron mobolity algangan materials grown on sappire substrates

器件制缱与应闭 ofDe、，i∞ M锄证∞hl血g蛐dA坤lica曲n 蓝宝石上高电子迁移率AIGaN／GaN材料的研究袁凤坡，梁栋，尹甲运，许敏，刘波，冯志宏 (专用集成电路国家重点实验室，石家庄050051) 摘要：通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺，获得了高质量的半绝缘 AlGaN／GaNHEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1．21×10”／cm2，迁移率为1970cm2／v·8， 77 K下2DEG迁移率达到13000cm2／V·s。关键词：金属有机化学气相外延淀积，氮化镓；铝镓氮／氮化镓；异质结；二维电子气中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1003．353x(2007)06．497．04 of Electron AlGaN／GaNMaterialsGrownon Study Mobolity High Substrates Sappire YUAN Min，UUBo，FENG Jia-)run，XU Feng-po，UANGDong，YIN Zhi-hong (肌砌MZ^矽如6D^咖可0，AS，c，黼批曲啪昭050051，饥i舭) GaN on 8ub8trate8and SI bufferlayer Abs劬ct：By叩tiIYlizing s印phire Mg-dopedleVel，h诎quality GaNbuffer was thethicknessofAlN hetmstmcture 1ayer got，aIldbyoptiIllizing intedayer，A1GaN／GaN materialsofexcellentelectricalcharacteristicswereobtained．711le2DEGdensitvandelectronmobilitvofthe AlGaN／GaNHEMTstmcture8were1．21×1013／cm2and1970cm2／V’satmom temperature，themobility reached13000cnl2／V·sat77K． Keywords：MOCVD；GaN；AlGaN／GaN；heterostmcture；2DEG 了大批的研究人员，使得AlGaN／GaN异质结材料 1 引言的2DEG研究飞速发展。以GaN，siC，znSe和金刚石等为代表的第三从1994年I(1l肌等人uJ首次报道蓝宝石衬底上代宽禁带半导体材料，由于禁带宽度大、电子漂移的A1GaN／GaNHEMT器件以来，十年来器件的特饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点，非性指标突飞猛进，微波输出功率和功率密度均有大常适合于制作高温、高频、大功率和高密度集成的电子器件。而随着