蓝宝石抛光去除率试验的正交设计方法 the orthogonal experimentation of sapphire polishing removal rate.pdfVIP

II 电 子 工 业 墓 用 设 备 材料制备工艺与设备 蓝宝石抛光去除率试验的正交 设计方法 孙振杰，费玖海，刘 涛 (中国电子科技集 团公司第四十五研究所，北京065201) 摘 要：影响蓝宝石抛光去除率的因子有很多，为了得到最佳工艺流程和工艺参数组合，实际37_ 作 中需要在诸多影响因素 中找 出对去除率影响最显著的因子 ，并以拟合方程的形式来建立数学 模型 探讨 了运用正交试验的方法，通过MINⅡAB软件对试验数据进行分析，从而 了解各抛光参 数对抛光去除率的影响．最终确定一组最优的工艺参数 。 关键词 ：正交试验 ；蓝宝石抛光；去除率 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4507(2012)04．0029．05 TheOrthogonalExperimentation ofSapphirePolishing RemovalRate SUNZhenjie，FEIJiuhai，LIUTao (The45ResearchInstituteofCETC，Beijing101601，China) Abstract：Therearemanyfactorswhichaffectthesapphirepolishingremovalrate，inordertofindthe bestprocessparameters，in—depth and comprehensive understanding of sapphire polishing process parametersonthepolishingremovalrate，thispaperthroughtheo~hogonaltest，andbytheanalysisof theMINITAB software，ultimately，determinetheprocessparameterswhichmeettherequirements． Keywords：O~hogonalexperimentation；Sapphirepolishing；Removalrate 在蓝宝石抛光过程中，影响抛光效果的因子 个因子有 3个水平 ，则进行全面试验共需进行 有很多，比如压力、转速、抛光时间、抛光液的类型 34=81次试验 ；又例如，考察 7个因子，每个因子有 以及抛光垫的型号等，而且每个因子的水平数也 2个水平 ，则进行全面试验共需进行 27=128次，可 很多，此时如果对这些因子的每个水平可能构成 见全因子试验次数多，所需费用高，所耗时间长， 的所有组合条件均逐一进行试验，即进行全因子 在实际工作 中往往是办不到的。那么怎样做到尽 试验 ，试验次数就相当多。例如考察4个因子，每 量减小试验规模 ，同时保证试验误差较小，保证试 收稿 日期 ：2011-09—31 基金项 目：国家 863项 目(2009AA043101) 万方数据 材料制备工艺与设备 电 子 工 业 专 用 设 备 I ipmentforElectronicProductsManufacturing 验结果的可靠性呢?正交试验设计方法可解决这 数，最终使抛光去除率达到 3～5 m／h。 个难题 。 2 试验设计 1正交试验 2．1试验方案 正交试验设计是一种通过部分试验并分析