扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析 analysis on epitaxy wafer thickness error measuring in spreading resistance profile.pdfVIP

扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析 张志勤，李胜华，张秀丽 (中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050002) 摘要：扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程 中，经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题，从三个方面分析了产生的原 因，其中两方面存在于样品制备过程：样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差；研磨斜面两条 边缘不平行造成的误差。另外一方面存在于测试过程，测试仪两探针起始位置偏离样品表面和研 磨斜面的边界线造成的误差。由样品制备引起的误差占实际误差的大多数，所有误差均可通过计 算公式进行修正。 关键词：扩展电阻；硅外延；厚度误差；过渡区 中图分类号：TN334．054；TN304．12文献标识码：A on WaferThicknessError in AnalysisEpitaxy Measuring ResistanceProfile Spreading xiuli ZhangZhiqin，LiShenghua，Zhang 13mResearch (The 050002，China) Institute，CETC，Shoiazhuang resistance thicknessvalueWaSobtained spreading technology，Siepitaxy through Abstruct：By profile of ofSi onthicknessvalueoften the wafer，errors meaSuringchangingdepthresistivity．InmeaSuringepitaxial reasonsoferrorwere fromthree existin iscaused fabrication：one happen．The analyzed parts，two sample bevel tomount otheriscaused beveloffset．Thethirdone bylappinganglesunequal angles，the bylapping existsinmeaSurement isbecauseoftheoffsetbetween initial locationand process：it probes points edge between surfaceandbevel．MostenDl_saredueto fabrication．SOalltheenDrscanbe sample sample correctedformulaS． through Key resistance