TFT LCD黄光制程介绍.pptVIP

Photo Process Coater introduction 目的 1.将MASK上的图案转移到胶中 2.在后续工艺中保护下面的材料 PR的物理特性 分辨率 对比度 敏感度 粘滞性 黏附性 抗蚀性 表面张力 存储和传送 沾污和颗粒 分辨率 能够在玻璃基板上形成符合要求的最小的特征图形。形成的CD越小，PR的分辨能力和光刻系统就越好 对比度 PR从曝光区域到非曝光区域的过度的陡度 敏感度 PR产生良好图形所需要的一定波长的最小能量值（MJ/C㎡），对于一定的曝光能量，PR的吸收量越大越好 粘滞性 粘滞性与时间有关，会随着PR溶剂的挥发增加。粘滞性增加，PR流动趋势变小，厚度会增加。 粘附性 PR与下层材料黏附之强度。如黏附性不好，会导致表面图形的变形。 抗蚀性 PR必须保持黏附性，并在蚀刻工艺中保护下层材料。如在高温下进行处理，还需要有热稳定性。 表面张力 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。 沾污和颗粒 在PR涂布之前，要使用Filter，使沾污控制在最小程度 Exposure Introduction Locations of Units MASK（掩膜版）分类 亮场掩膜版 暗场掩膜版 材料 石英：高光学透射和低温度膨胀。 铬：沉积在掩膜版上的不透明材料。有时 会在铬表面形成一层氧化铬抗反射层。 Operation Mode of the Console Inline mode Communication between MPA and I/F Plate is loaded by I/F arm Standalone mode No communication between MPA and I/F Plate is loaded by Hand Console Mode (no use) No communication between MPA and Console UM06 System Resolution of Exposure Machine Illumination System 光源： 8千瓦超高压水银灯，2只 Lamp：Standard type--750小时，Long type--1000小时 波长： exposure----340nm~460nm [g/h/i line，436nm/405nm/365nm] alignment---536nm~600nm [d/e line，578nm/546nm] 强度： Mask/Plate AA AA：Auto Alignment 自动对准，分为预对准(Pre)和精对准(Fine) 两种对准：mask align to mask stage，plate align to mask 光罩对准：mask FMA mark --- stage set mark 基板对准：plate alignment mark --- mask TV-pre/fine mark Mask Stage架構說明 Mask 放到mask stage後,先由CCD(3.85X)做mask pre- alignment,接著做mask fine alignment(由mask alignment mark去對準mask stage上的set mark—此動作由 X/Y/Theta stage完成),完成以上動作後,mask stage上的 Lock Pads會將X/Y/Theta stage固定在mask stage上,而 mask stage是浮在mask guide及Yaw guide上的. Set mark與mask之間隔為10um. Canon mask type: Long mask(520X800,t=10mm),而其對應 在mask stage上的硬體裝置有Y pressing cylinder及mask reference pin. Mask stage在曝光時只做Y方向移動(scan). Pate chuck and mechanical pre-alignment sensor Lift Pin Plate AFC AFC：Auto Focus Compensation 自动聚焦 DOF：30um，在其范围内的光阻曝光显影后图形清晰 如果stage(基板承载平台)平坦度超出规格， 导致基板上光阻位于DOF之外，那么曝光显影后会导致CD异常。 Job Flow in Inline Mode Optimize-3 Action Flow Total pitch Total pitc