SED平板显示薄膜电极的工艺研究.pdfVIP

科技信息 0机械与电子O SCIENCETECHNOLOGY INFORMATION 2008年 第1期 SED平板显示薄膜电极的工艺研究 刘 彦 (西安1-,11,大学薄膜技术与光学检测重点实验室 陕西 西安 710032) 【摘 要】表面传导电子显示(SED)的关键部分是下基板(即阴极板)的制作，而阴极板上薄膜电极的质量直接影响了阴极电子发射的性能。 本文研究了采用剥离技术来制备SED平板显示器阴极板上薄膜电极的工艺，实验表明，利用剥离工艺所镀制的铬铜铬金属薄膜厚度为 123．93nm，电极条的平均阻值为12．26Q，通过显微镜放大1000倍可以看到电极裂缝宽度为10p,m，阵列精细整齐。无翘边、连线情况出现．并且 附着力、热稳定性和厚度性能也达到了后续工艺的要求 【关键词】剥离工艺；铬铜铬薄膜电极；电子束蒸发沉积 Researdl on Fabrication Technology of Thin Film Electrod in SED Flat Panel DisplaY Liu Yan (Key Laboratory ofthin film and optical measurement ofShan Xi province，Xi’an Technological University，Xi’an 710032，China) 【Abstract】Cathode panel plays a key role on the surface conduction electron emission display．And the thin film electrode in cathode plate directly affects the quality of the cathode eleetron emission performance．The study indicated that the process of the lift一0ff techniques applied in the fabrication of the thin film eleetrode．The result shOWS that the thickness of the chromium—copper—chromium metal film is 123．93nm ．the average resistance of the one arrange of electrode is 12．26Q，tIle electrode space width is 101xm and the eleetrode is fine and neat without eonnectivitv。Bv testing we found that the adhesion，thermal stability and thickness of the thin film electrode totally achieve the following process s requirements， 【Key words]Lift-off process；chrome—copper—chrome film electric pole；Electron Beam Deposition 1．引言 经过上述工艺过程后，得到的薄膜电极的阵列在Nikon L150显 表面传导显示(SED)技术是结合电子发射技术、微制造技术、阴 微镜下观察的图像如图2所示。由图可以看出所得的铬铜铬薄膜电极 极射线管(CRT)技术及半导体技术而研发的一种新型平板显示技术 阵列边缘整齐，没有出现翘边等现象，电极阵列无图形断线情况发生。 [1,21而其中制作的关键技术之一是SED下基板的制作，而下基板上薄 ， 膜电极的制备工艺直接影响着SED技术的市场化和高性能化，本实 验中薄膜电极采用廉价多层金属CrCuCr薄膜电极，并采用剥离技术 fli