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动态反应池-ICP-MS 分析半导体级 盐酸中杂质 引言 此外，由于冷等离子体的等离子体能量更低，使 其更易形成在热等离子体中不存在的多原子干扰 盐酸（HCl）广泛应用于半导体工业。目前，半导体 。使用多极杆和低反应性气体的碰撞池被证明对 器件正设计的更小线宽，因此更易于受到低水平杂质影响。 减少多原子干扰有用。该技术通过使用能量歧视 在更多的关键工艺，为达到其所需性能和质量，必须连续监 来消除副产物。但由于能量歧视大大降低灵敏度 测HCl中的杂质水平。半导体标准SEMI C27 - ，使 07081规定了不同等级HCl中各金属从ppt到0.1ppm的最高污 其分析ng/L含量时发生问题。而且其低质量数离 染限量。 子灵敏度损失更大。 电感耦合等离子体质谱（ICP - 另一种池技术是动态反应池（DRCTM ） MS）因其具有快速同时测定各类工艺中化学品的超痕量（ng/ ，它使用四级杆，通过调节四级杆中的RF和DC L或ppt）组分能力，使其成为质量控制的传统地不可缺少的 电压产生质量带宽消除副产物。这种设计的优点 分析工具。然而，应该指出，在传统的等离子体条件下，氩 之一就是其被称为动态质量带宽（DBT）的能力 离子与基质相结合将产生多原子干扰。常见的HCl中观测到的 ，即可以使特定离子通过反应池，而 37 1 35 16 51 Cl基体干扰，有如 Cl H 对39K的干扰， Cl O对 V 的干扰 2 35 16 1 52 37 16 53 37 16 16 ， Cl O H对 Cr的干扰， Cl O对 Cr的干扰， Cl O O 69 40 35 75 对 Ga的干扰， Ar Cl对 As 的干扰。虽然冷等离子体已被 证明可有效地减少氩的干扰，但其比热等离子体更容易受到 基体抑制。 其他离子被排除在反应池之外。由于具有这种能力，在动态反应池中，即使使用反应活性非常强的气体，比 如NH 和O ，不需要的副产物离子也不会在反应池中产生。 3 2 这篇应用将证明动态反应池具有的这种能力，通过一次分析，在热等离子体条件下，动态反应池可以轻松地 消除各类干扰，从而实现对HCl中的超痕量的杂质分析 实验条件 无需任何前处理或稀释，直接对含量为20% 的盐酸 (Tamapure-AA 100, TAMA Chemicals, Japan)进行分析。标准系列由10 mg/L 的多元素混合标准溶液 ( PerkinElmer Pure, PerkinElmer, Inc., Shelton, CT USA) 制得. 仪器为ELAN® DRC™ II ICP-MS (PerkinElmerSCIEX™, Concord, Ontario, Canada)。表1为仪器工作参数和进样系统组成 。 结 论 随着对暴露于双酚A 的健康状况关注的提高 ，塑料制品中双酚A 的分析变得越来越重要。珀金埃 尔默 275 HRes 液相色谱仪为这一分析提供了一 2 3 结果 通过标准加入法，对20%的盐酸进行了定量分析，结果见表2 。 其中，检出限（DL）为三倍20%的盐酸信号标准偏差所对应的浓度；背景等效浓度（BEC）为20%的盐酸 信号所对应的浓度；加标回收率由20%的盐酸中加标25 ng/L计算