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洗浄-VISARDS,Inc.株式会社ヴィザーズ
森永均: 先端LSI技術大系, 第2章, 第7節, 洗浄洗浄と汚染低減, グローバルネット株式会社出版, pp.175-183, (2012). 1 晶 結 第7節 2 洗 浄 ィ フ ラ グ ソ リ 1 洗浄と汚染低減 3 ナノの世界で回路を形成する、先端LSIプロセス 森永 均4 * 術 技 グ ン チ ッ エ ル(微粒子)、金属、有機物に分類される。部材の過 はまさに「汚染との戦い」である。先端デバイスでは 剰なエッチングや表面マイクロラフネスの増大、パ 30nmを切る配線パターンで回路が刻まれ、ナノ粒 ターン倒壊などの副作用を起こさずに、これらの汚 子や分子・原子オーダーの極微小汚染が問題となる。 染を徹底的に除去することが洗浄には求められる。 成 形 膜 薄 デバイスの全製造工程は1,000工程以上に及ぶが、そ 極微小汚染の洗浄に必要な機能は、[機能1]汚染 の内の約25%が洗浄である。洗浄には、①高清浄な の脱離機能、[機能2]汚染の再付着防止機能、[機 表面を、②副作用なしで、③短時間、かつ、④再現 能3]下地膜のエッチング機能の三つに集約される 1)2) 5 性良く、⑤低コストで実現することが求められる。 (図1) 。高清浄な基板表面を再現性良く得るため ル ー ニ ア と 入 注 ン オ イ 要求レベル
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