提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析.pdf

工艺与制造 lPr。cessandFabricati。n 提高3DNANDFlash竞争力的 关键技术分析 陈君汉 (武汉理工大学，湖北 430070) 摘要：提升 3DNANDFlash竞争力将渐受重视 ，美光与英特尔阵营所开发 CellonPeri构造可缩 减采 3DNANDFlash解决方案的芯片面积 ，由于三星已提出类似的构造，且东芝亦可引进使 3D NANDFlash与其系统 LSI结合，CellonPeri构造有机会成为相关业者提升 3DNANDFlash竞 争力的技术之一。 关键词：半导体存储器；3DNANDFlash；CellonPeri 中图分类号：TN403 文献标识码：A 文章编号：1674—2583(2017)01—0054—03 DOI：10．193394．issn．1674—2583．2017．01．014 中文引用格式 ：陈君汉．提高3DNANDFlash竞争力的关键技术分析[J】_集成电路应用，2017， 34(1)：54-56． Analysis0fKeyTechnologieSt0Improve3D NAND FlashCompetitiveness CHEN Junhan (WuhanUniversityofTechnology，Hubei430070，China．) Abstract：Enhance3D NAND Flashcompetitivenesswillgraduallyattention．Micron andIntel developedCellon Pericampstructure canbereducedby 3D NAND Flashchipsolutions area．BecauseSamsunghasproposedasimilarstructure，Toshibacanalsobeintroducedto make3D NANDFlashcombinedwithitssystem LSI．CellonPeristructurehastheopportuniyt tobecome oneofthe relevantstakehOIdersto enhancethe competitivenessof3D NAND technology． Keyword：semiconductormemory，3D NAND Flash，CellonPeri 1引言 东芝 (Toshiba)提升其 3DNANDFlash竞争力。 CellonPeripheralCircuit(简称 CellonPeri)构 然而，CellonPeri构造将原先在不 同制程制作 造由美光 (Micron)与英特尔 (Inte1)阵营开发，采 的 3DNANDFlash与逻辑电路结合于单一制程，虽有 用将 3DNANDFlash单元 (Cel1)数组堆栈在外围 其优点，但尚存诸多课题 ，包括相关产线与设备需延 电路 CMOS逻辑 IC上的方式，以缩减采 3DNAND 伸、扩大，将导致业者的资本支出增加，且 3DNAND Flash解决方案的芯片面积 。DIGITIMESResearch观 Flash经高温制程后 ，恐因高温而破坏下方 CMOS电 察，三星电子 (SamsungElectronics)已提出类似此 路，将影响良率。 一 构造的COP(CellOverPeri)方案，将有利整合组 由于三星同时生产 3DNANDFlash与逻辑电路， 件厂 (IntegratedDeviceManufacturer；IDM)三星、 如 CellonPeri构造能克服 良率与成本等问题，可望 作者简介：陈君汉，武汉理工大学，研究方向：半导体存储器 3DNANDFlash技术。 收稿 日期：2016—07—04；定稿 日期：2O16—1卜9 54l集成电路应用 第34卷第1期 (总第280期 )2017年1月 Pr。cessandFabricati。n I工艺与制造 成为其争取苹果 (Apple)应用处理器 (Application Processor；AP)订单的优势，而东芝半导体事业涵 盖 3DNANDFlash与系统 LSI，美光与英特尔阵营 亦可结合双方 3DNANDFlash与 CPU，运用 Cellon Peri构造，有助其提升 3DNANDFlash竞争力。 2