《电工电子技术教学课件》11.pptVIP

A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) R/W 2 4 译码器 Y0 Y3 11.3 闪存(FLASH Memories) 高密度读/写存储器 低电压编程 单浮置栅MOS管 11.3.1 闪存存储单元的基本结构 * 半导体存储器和 可编程逻辑器件 第11章 第11章 半导体存储器和可编程逻辑器件 11.1 只读存储器（ROM） 11.2 随机存取存储器（RAM） 11.3 闪存(FLASH Memories) ??了解半导体存储器的基本结构、工作原理 理解只读存储器ROM的各种应用 掌握随机存取存储器RAM扩展容量的方法 了解闪存的基本结构和工作原理 学习目标 存储器的概述和基本操作 存储器是数字系统和计算机的重要组成部分。 功能 存放数据、资料和程序(二进制信息) 结构 存储单元 —每个单元有唯一的编号，称为地址 每个存储单元存储的内容（二进制数）称一个字，字的位数称为字长 容量 存储单元的个数?字长（位） 存储单元的个数（字节） 例：存储器有1024个存储单元，字长8位。则容量为：1K字节，或1024 ?8=8192=8K位 读写存储器( RAM ):随机存入取出信息，断电时，信号丢失； 分类 只读存储器( ROM ):存放固定程序，断电时，信号不丢失； 操作 首先根据地址线上送来的地址，经地址译码器寻找到待操作的存储单元； 读操作： 将数据从存储器中取出； 写操作： 将数据存入存储器。 找单元： 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 11.1.1 ROM的基本结构和工作原理 ROM主要由 Read Only Memory . . . 存储矩阵 地址译码器 输出电路 组成 11.1 只读存储器（ROM） 地址译码器 存储矩阵 N?M 输出缓冲器 A0 A1 An-1 W0 W1 WN-1 DO D1 DM-1 地 址 输 入 字线（选择线）：N条 位线（数据线）：M条 存储器输出 1.存储矩阵： 地址译码器 存储矩阵 N?M A0 A1 An-1 W0 W1 WN-1 输出缓冲器 D0 D1 DM-1 每字M位 容量： N个字节（N= 2n） 共N字节或M ? N位 地址译码器 存储矩阵 N?M A0 A1 An-1 W0 W1 WN-1 输出缓冲器 D0 D1 DM-1 2.地址译码器 对应于N条字线，地址译码器必须有n条地址线输入：且 N= 2n 一个地址码对应一条选择线，当某条选择线被选中时，与该选择线联系的存储单元（字）就与数据线相通，进行读、写操作。 ROM的工作原理 地址译码器根据地址码选中一条字线（只有一条！） 字线所对应的存储单元的各位数码经位线输出 地址译码器 存储矩阵 N?M A0 A1 An-1 W0 W1 WN-1 输出缓冲器 D0 D1 DM-1 3.输出缓冲器 选中的字经输出缓冲器输出：提高带负载能力；由三态控制信号决定数据输出的时刻。 存储单元中的内容在出厂时已被完全固定下来，使用时不能变动。 11.1.2 ROM的种类 ROM： 如：二极管ROM电路 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 输出电路 存储矩阵 字线 位线 二极管ROM电路： 1 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 位线 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 字线 输入任意一个地址码，译码器就可使与之对应的某条字线为高电平，进而从位线上读出四位输出数字量。 每一个字线、位线的交叉点为一个存储单元，有二极管为“1”，无二极管为“0” 字线 位线 熔断丝 写入时，若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。 熔丝式PROM电路： 只能改写一次！ 可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,然而只能改写一次，称其为 PROM。 PROM： EPROM EPROM的存储内容可以更改。即允许擦除已写入的内容并重