CU-2000 LAB test result.docVIP

CU-2000 Haring cell test proposal Report 2010.09.25 HONSY TECHNOLOGY 肖喜平 1.目的:利用 Haring cell 测试以了解 CU-2000 之 Throwing power 物性 2.參与人员: HONSY 蔡良胜，肖立勇 郭晖 肖喜平 领耀 戴卫民 3.测试地点: 领耀化验室. 4.器具药液准备: Haring cell 摆动装置 钢板(for Elongation tecu) 阳极*2(磷铜) 温度计 DC 钩表 定时器 计算器 尺 5A or 10A 之整流器(ripple 5 %) 阴极导线 *1 阳极导线 *2 打气装置 CVS VMS 3L(H2SO4 200g/L,CuSO4.5H2O 70 g/L,Cl- 50ppm) Dummy board 5 pnl(6cm*18cm 1.6t 以上磨刷厚后之裸铜板) Tecu panel (经钻孔,Deburr,化铜)(Panel thickness hole dia.依 沪电要求) 光泽剂(Make up 100ml,BCU 50 ml,CCU 50 ml) 研磨抛光机 180#,800#,1200#,2000#砂纸 金相显微镜照相系统 冲床(冲切片用) 4.测试项目: 外观 Throwing power % Thermal curess Elongation % 5.测试步骤: a. 配槽: 配槽浓度 CU-2000 Make up 10 ml/L CU-2000 BCU 5 ml/L CuSO4.5H2O 70 g/L H2SO4 200 g/L Cl- 50 ppm 配槽步骤: 清洗 Haring cell 阳极 加入 VMS 至半槽 加入 25 ml CU-2000 Make up 加入 12.5 ml CU-2000 BCU 将 VMS 补至 2500 ml 空气搅拌 10min b.Dummy Dummy 条件: 目标 7 AH/L 计 17.5 AH 10 ASF 2 Hr 20 ASF 8 Hr 操作流程: Dummy board Acid dip (10% H2SO4, RT ,1min) Dummy plating (打气,摆动) 分析调整 (检查黑膜形成狀况) c.测试(Throwing power Thermal curess): 操作条件: BCU 15 ml/L CCU 0.3 ml/L CuSO4.5H2O 70 g/L H2SO4 200 g/L Cl- 50 ppm 摆动 1 m/min(25 cycles/min) C.D 20 ASF 电镀时间 60 mins 操作流程:  Tecu panel Acid dip (10% H2SO4, RT ,1min) Copper plating (打气,摆动) 水洗 烘干 Throwing power Thermal curess 切片 裁切成 6cm*10cm 预热 150 C 2Hr 288 C +- 5 C 10 sec(10 cycles) 切片 (观察是否有 cracking,ICD) Remarks: *TP%计算方法: 1 2 5 8 6 9 7 10 3 4 Min TP%=(6+9)/2/(1+2+3+4)/4*100% IPC TP%=(5+6+7+8+9+10)/6/(1+2+3+4)/4*100% *Thermal STress 测试方法依 IPC-TM-650 2.6.8 d.Elongation: 操作条件: BCU 15 ml/L CCU 0.3 ml/L CuSO4.5H2O 70 g/L H2SO4 200 g/L Cl- 50 ppm 摆动 1 m/min(25 cycles/min) C.D 20 ASF 电镀时间 120 mins(电镀厚度 2mil) 操作流程: 钢板 Acid dip (10% H2SO4, RT ,1min) Copper plating (打气,摆动) 水洗 烘干 撕下裁切成 13mm*152mm*6pcs 125 C+-5 C 烘烤 5 Hr Elongation