第二十三讲si表面和金属－氧化物－半导体结构（续）内容阅读作业.pdfVIP

下载本文档

3
0
约5.83千字
约 20页
2016-01-24 发布于天津
举报
版权申诉

第二十三讲si表面和金属－氧化物－半导体结构（续）内容阅读作业.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第二十三讲si表面和金属－氧化物－半导体结构（续）内容阅读作业

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo Si 第二十三讲表面和金属－氧化物－半导体结构（续 10月28，2002 内容： 1. 在非热平衡时理想的MOS结构（续阅读作业 del Alamo Ch. 8 §§8.3 8.3 8.3.2 8.3.5 ，（－讨论会： 10 29 C. Ka an IBM Rm. 34 101 4 月－（）：用于分子器件的材料。－，下午点。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  泊松－玻尔兹曼方程能用来产生一个MOS结构在不同区域工作的简单一阶模型吗？  反型层在“开启”和“关断”时有多明显？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 在非平衡时理想MOS结构（续 □ 下几个视图：为计算的结果： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo [ S. Mertens ] 经过允许 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alam