高有序Bi4Si3O12微晶列结构特征分析.pdfVIP

第31卷第5期 硅 酸 盐 通 报 V01．31No．5 2012年10月 BULLETIN0FTHECHINESECERAMICSOCIETY October，2012 _--】L Cj 同 有序Bi4012微晶列结构特征分析 Si3 张争光1’2 (1．咸阳师范学院，咸阳712000；2．西北大学现代物理研究所，西安710069) 摘要：在常压下使用烧结法制备了具有高有序结构的Bi。Si，O，：微晶。利用x射线衍射分析了生成样品的物相，通 验。结果显示：在一个稳定的硅酸铋晶列中晶粒成对分布。在一个晶行的一侧，晶粒取向和该晶行发育方向之间 的夹角服从正态分布。晶行一侧的晶粒取向夹角的大小范围为53．9。～68．9。。一个稳定晶行一侧的平均晶粒夹 角和晶粒尺寸之间具有高度的正相关性。如果稳定晶行一侧的平均晶粒夹角超过稳定晶列中晶粒夹角范围的最 大值(68．9。)，对应侧的高有序的晶列结构将会被破坏。然而，一侧有序结构的局部湮灭过程不会对晶行另一侧的 高有序结构产生任何影响。 关键词：Bi。Si，012I晶列结构；晶粒夹免；湮灭 中图分类号：0764 文献标识码：A TheCharacteristicof Ordered Analysis High Bi4Si3012 Structure Micro—crystals ZHANG Zheng—guan91’2 Normal InstituteofModem 7 (1．XianyangUniversity，Xianyang712000，China；2． Physics，NodhwestUniversity，Xihn10069，China．) Abstract：Bismuth with linestructurewere silicate(Bi4Si30t2)micro—crystalsgrain grownbysintering methodunder werestudied diffractionand atmospherepressure．Theas—grownproducts usingX—ray environmentalelectron orientationlawwastested scanning microscopy．Thegrain byOne-Sample are in onbothsidesof test．Theresultshows distributed Kolmogorov—Smiruov Bi4Si3012grainsalways pairs astableline．The betweenorientationandtheline directionthenormal angle grain growth obeys