PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析.pdfVIP

测试与分析 PECVD法低温形成SiON介质膜的 x y 俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析* 1 2 1 1 3 4 陈蒲生 ，张昊 ，冯文修 ，刘剑 ，刘小阳 ，王锋 （1.华南理工大学应用物理系，广东 广州510640；2.信息产业部电子五所数据中心， 广东 广州510610；3.华南理工大学机电工程系，广东 广州510641； 4.广东省电子技术学校，广东 广州 510511） 摘要：采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiON薄介质膜的微观组分及其与 x y 制膜工艺间关系，通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。 关键词：SiON 薄介质膜；俄歇电子能谱；红外吸收光谱；微观组分；电学性能 x y 中图分类号： O484.5; TN305文献标识码：A 文章编号： Nthin dielectric absorption spectra ofO the Si x y 1 2 1 1 3 4 CHEN Pu-sheng, ZHANG Hao, FENG Wen-xiu, LIU Jian,LIU Xiao-yang, WANG Feng (1. Dept. of Appl. Phys.,South China Univ. of Tech.,Guangzhou, 510640；2.No.5 Information Industry,Guangzhou, 510610；3.Dept. Guangzhou, 510641；4. 510511，China) Abstract: process of SiON x y by ellipsometer. Keywords: SiON x y microscopical compositon; electrical property 1 前言 动的频率分布在红外到远红外范围内。当一束红 俄歇电子能谱(AES)分析是近代先进的一种微 外光照射SiON薄膜，光波的电场与薄膜中的荷 x y 区表面分析技术。激发样品的外部探针常用高能 电粒子相互作用，又带着薄膜内部的各种信息离 ｘ射线、高能电子束等，通过扫描可以辐射整个 开膜层。由于不同元素成分所引起的声子频率不 表面，得到非常准确的固体表面各种物质成分分 同，与声子频率相同的光照射到薄膜上时就可以 布；结合离子束刻蚀，就可以得到固体样品表面 被吸收，并且每种分子振动频率大致都是确定 [2,3] [1～3] 的，所以此法能够判定物质中所含分子 ，这正 垂直方向上组分的纵向分布 。构成物质分子振 *