《半导体国际》第三届成品率提升技术研讨会圆满闭幕.pdfVIP

维普资讯 半导体国际 第三届成品率提升技术研讨会圆满闭幕 王志华 技术编辑 半导体制造业如何降低成本、缩短交期，提升 可提供O．O1um及更高分辨率的检测 ．但有些工艺 成品率。都成为面对全球竞争的关键。由于成品率 中却无须如此高分辨率检测 ．并且检测取样带来低 的损失造成成本的提升 ．因此各半导体厂莫不急于 产量和高用户成本。先进的大缺陷检测可 以检测O． 藉由各种分析手法，针对生产过程进行严格监控．以 5um至 10um的晶圆正面．背部和边缘缺陷，搭建 达到成品率提升的最终 目的。2007年5月24日．半 了大缺陷和微缺陷检测间的桥梁。 导体 国际》第三届成 品率提升研讨会延续了其系列 KLA—Tencor中国公司战略营销二部总经理张 研讨会一贯的技术风格和高品质．在上海龙东商务 赞彬指出．在90nm以及更高节点由于新材料的引 酒店成功举办。本次成品率提升研讨会汇聚了来 自 入 、新工艺的研发和未来光刻技术的使用．将带来 主要的晶圆厂和设备及软件供应商的成品率提升技 更多缺陷问题，制造厂也将面临更大的经济性和技 术方面的专家和经理人 ．针对90nm及以下工艺节 术性挑战；在O．13um缺陷问题主要集中于后段工 点成品率提升解决方案和实际案例进行了精彩的演 艺．半导体发展到9O和65nm时缺陷问题集中于前 讲 。与到会的200多位工程师共 同分享了宝贵的经 段工艺 ．电子束扫描是其中一种有效检测手段。张 验和技术 ．互动气氛尤为热烈。 赞彬介绍了电子束左右扫描方法 (E—beamSwath— 随着半导体制造工艺向90nm及更高技术节点 ingScan)．该方法 1—2小时可 以得到检测结果 ．相 发展 ．对晶圆边缘和背面缺陷的检测要求变得越来 比其他扫描速度更快．更加适合量产要求 同时．他 越重要 ．晶圆边缘缺陷检测就会 占3O％的比重：而 介绍了电子束扫描中电压对 比方法的使用 ．以及 不断增加的正面缺陷追溯其源头可能是来自晶圆的 DRAM Flash以及Logic产品中采用电子束扫描方 法关键缺陷检测的应用。 通常造成 C『成品率损失最主要的原因之一是 晶圆上的缺陷．一般缺陷空间图样主要可分两类 ． 分别为系统性缺陷(Systematicdefect)及随机性缺陷 (Randomdefect)。随机性缺陷图样主要为随机落于 晶圆上的空气 中微粒所造成：系统性缺陷图样主要 成因则如刮伤、光罩未对准或化学物质污损甚至过 度蚀刻等诸多因素所造成的。引入影响成品率因素 的关系式Y= Y口．HHNECFablYE部门经理殷建 斐介绍了HHNEC公司控制随机缺陷进而提升成品