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SooPAT 室温单电子晶体管的制备方法 申请号：201110059597.3 申请日：2011-03-12 申请(专利权)人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 发明(设计)人李加东 吴东岷 谢杰 主分类号 H01L21/336(2006.01)I 分类号 H01L21/336(2006.01)I 公开(公告)号102169837A 公开(公告)日2011-08-31 专利代理机构 代理人 注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102169837B* *CN102169837B* (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 102169837 B (10)授权公告号 CN 102169837 B (45)授权公告 日 2013.05.01 (21)申请号 201110059597.3 (22)申请 日 2011.03.12 (73)专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米 仿生研究所 地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖 高教区若水路398 号 (72)发明人 李加东 吴东岷 谢杰 (51) Int.C l. H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) 审查员 滕牧 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 权利要求书1 页 说明书4 页 附图1 页 (54) 发明名称 室温单电子晶体管的制备方法 (57) 摘要 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方 法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶 体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰 处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域 分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗 结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液 中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电 子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处 理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点 至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸 过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电 子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电 子晶体管的生产成本。 B B 7 7 3 3 8 8 9 9 6 6 1 1 2 2 0 0 1 1 N N C C CN 102169837 B 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 一种室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤 ： 采用微加工工艺在衬底表面上制成单电子晶体管的源极，漏极和栅极； 分别采用第一试剂和第二试剂修饰该衬底表面上的电极区域以及非电极区域，令该电 极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成可引导纳米