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混合π模型的单向化——将Cμ等效在输入回路和输出回路。 高频电压放大倍数 高频电压放大倍数：高频段频率响应分析 全频段放大倍数表达式： 四、电压放大倍数的波特图 习题： P244 5.2， 5.6 矛盾 当提高增益时，带宽将变窄；反之，增益降低，带宽将变宽。 5.4.3 带宽增益积：定性分析 fbw＝ fH－ fL≈ fH 若rbeRb、 RsRb、 ，则可以证明图示电路的 说明决定于管子参数 对于大多数放大电路，增益提高，带宽将变窄。 要想制作宽频带放大电路需用高频管，必要时需采用共基电路。 约为常量 根据 带宽增益积：定量分析 5.5 多级放大电路的频率响应 一个两级放大电路每一级（已考虑了它们的相互影响）的幅频特性均如图所示。 6dB 3dB fL fH ≈0.643fH1 fL fL1， fH fH1，频带变窄！ 对于N级放大电路，若各级的下、上限频率分别为fL1～ fLn、 fH1～ fHn，整个电路的下、上限频率分别为fL、 fH，则 由于 求解使增益下降3dB的频率，经修正，可得 1.1为修正系数 多级放大电路的频率响应 例 5.5.1 已知电路各级均为共射放大电路，其对数幅频特性如图所示。求下限、上限频率，以及电压放大倍数。 例5.5.2 确定电路上限频率及下限频率表达式。 * 第五章 放大电路的频率响应 5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.1 频率响应概述 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频率的范围要求。 5.1.1 必要性 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，当输入信号频率过低或过高时，放大倍数变小，并且产生超前或滞后相移，即，放大倍数是频率的函数。 放大电路对信号频率适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。 5.1.2 频率响应基本概念 一、RC高通电路频率响应 幅频特性 相频特性 fL fL：下限截止频率 对高通电路，频率愈低，衰减愈大，相移愈大 高通电路频率响应 二、RC低通电路频率响应 fH 低通电路频率响应 fH：上限截止频率 对低通电路，频率愈高，衰减愈大，相移愈大 通频带：fbw＝fH－fL 5.1.3 波特图 为了扩大视野, 缩短坐标, 幅频特性和相频特性采用半对数坐标, 即横坐标频率采用对数刻度, 纵坐标幅值（用dB表示）或相角φ用线性刻度表示。绘制出的幅频特性和相频特性称为波特(Bode)图。 高通电路 20dB/10倍频（ f每下降10倍，增益下降20dB ） 低通电路 -20dB/10倍频（ f每上升10倍，增益下降20dB ） 0.1fH，10fH为相频的两个拐点，误差±5.710 0.1fL，10fL为相频的两个拐点，误差±5.710 在对数幅频特性中，fL，fH为拐点，有3dB误差 ① 电路低频段的放大倍数需乘因子 ② 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45o； 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45o。 ③ 截止频率决定于电容所在回路的时间常数 电路高频段的放大倍数需乘因子 ④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 几个结论 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 高通电路 低通电路 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 放大电路的频率参数 结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。 rbb’：基区体电阻 rb’e’：发射结电阻 Cπ：发射结电容 re：发射区体电阻 rb’c’：集电结电阻 Cμ：集电结电容 rc：集电区体电阻 阻值小，可忽略 阻值小，可忽略 5.2 晶体管的高频等效模型 5.2.1 晶体管的混合π模型 从晶体管的物理结构出发，考虑发射结和集电结电容的影响，可以得到在高频信号作用下的物理模型，称为混合π模型。 gm跨导，表明Ub‘e对Ic的控制关系。 阻值远大于c－e间所接负载电阻 因在放大区承受反向电压而阻值大 混合π模型：忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系 一、完整的混合π模型 Cμ连接了输入回路和输出回路，使电路的分析复杂化。 简化混合π模型： 等效变换后电流不变 利用密勒（Miller）定理等效 二、晶体管简化的高频等效电路 将简化的混合π模型与简化的h参数等效模型相比 5.2.2 晶体管电流放大倍数的频率响应 与低通电路相似 共射截