碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动.pdfVIP

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证券研究报告|行业深度

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碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提电子

评级：看好

升与AI+AR双轮驱动日期：2025.11.24

报告要点[Table_Author]

碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。作为第三代宽禁带

半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和漂移速

度快等突出性能，正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大高增长产业，其应

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用场景从功率器件延伸至散热材料、光学基底等领域，需求呈爆发式增长，行行业表现2025/11/24

63%

业即将进入高速发展期。49%

34%

在新能源领域，SiC是实现高效节能的核心器件，我们预计2030年，全球

20%

“新能源车+充电桩+光储”对碳化硅衬底（6吋当量，若非特殊说明，下同）6%

的需求量约577万片，CAGR~36.7%。新能源汽车领域，800V高压平台逐-8%

2024/122025/32025/52025/8

步普及，2025年渗透率已达11.17%，SiCMOSFET应用于主驱逆变器、DC-

电子沪深300

DC转换器等核心部件，可使整车能耗降低8%-10%。我们测算得，2030年

资料来源：Wind，聚源

全球新能源车领域SiC衬底需求达432万片，中国328万片。高压直流充电

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桩方面，政策推动下2027年将建成10万台大功率充电桩，SiC凭借耐高压相关研究

特性成为达标