薄膜晶体管的结构与设计.pptVIP

glass1PEP栅线——CDEMoWCDE:使用的气体为CF4(125sccm)+O2(375sccm)；功率:800W，压力:30Pa；刚好刻蚀+O/E10%；掺氧气的目的是增加F*游离基的生成效率。主要反应：Mo+6F*→MoF6W+6F*→WF6CxHyOz+O*→COCxHyOz+F*→HF*第30页，共80页，星期日，2025年，2月5日glassgateCsgate1PEP栅线——去胶去胶：二甘醇二丁醚65wt%乙醇胺35wt%喷淋去胶、超声、水洗、干燥、O3灰化O3灰化的原理：用O3吹基板，O3与光刻胶反应生成挥发性的分子（CO2、H2O）而除去。*第31页，共80页，星期日，2025年，2月5日glasstext1PEP栅线——O/S检查检查标准：一条线两端的电阻大于40KΩ以上，认为是断线，正常是5KΩ~15KΩ程度；两条线间的电阻值测定在40KΩ以下，认为是短路，通常是高阻抗。*第32页，共80页，星期日，2025年，2月5日2PEPi/sSiN阻挡层形成薄膜晶体管的绝缘层及阻挡层。阻挡层的作用是防止n+a-Si切断时刻到下面的a-Si。由于有阻挡层存在，因此这种TFT的结构是背沟道阻挡型TFT。glass*第33页，共80页，星期日，2025年，2月5日2PEPI/SSiN阻挡层等效电路Cgd*第34页，共80页，星期日，2025年，2月5日2PEPi/sSiN阻挡层SiO前清洗→SiOAPCVD→4层CVD前清洗→4层CVD（SiO，g-SiN，a-Si，i/sSiN）→4层后清洗→O2灰化→涂胶→背曝光→曝光→显影→显影后检查→i/sSiN湿法刻蚀→刻蚀后检查→去胶*第35页，共80页，星期日，2025年，2月5日双层绝缘层的作用*第36页，共80页，星期日，2025年，2月5日双层绝缘层的作用*第37页，共80页，星期日，2025年，2月5日glassSiH4O2N2GateSiOx2PEPi/sSiN阻挡层——APCVD基板加热后吹入SiH4、O2，热分解后在基板上堆积SiOx；厚度：2100?；温度：430℃；反应气体：SiH4、O2保护气体：N2（目的是形成良好的净化环境）；*第38页，共80页，星期日，2025年，2月5日glassSiH4N2ON2SIH4NH3N2SIH4H2SiH4NH3N2SiOxg-SiNxa-siSiNx2PEPi/sSiN阻挡层——PCVDSiO膜厚：2150±430A；气体：SiH4+NO2+N2g-SiN膜厚：500±100A；气体：SiH4+NH3+N2a-Si膜厚：500±100A；气体：SiH4+H2I/sSiN膜厚：3000±600A；气体：SiH4+NH3+N2*第39页，共80页，星期日，2025年，2月5日2PEPi/sSiN阻挡层——PCVD经射频（13.56MHz）后，产生化学活性强的离子、游离基，在基板表面发生加快的化学反应形成薄膜；两层SIO是绝缘层。成两次SiOx成膜并在中间加一道清洗，其作用是为了针孔错开。G-SiN是一种匹配膜。介于绝缘层SiO和有源层a-Si之间。为了让SiO和a-Si有很好的接触。另外也能起到绝缘的作用。A-Si是有源层。A-Si是非晶硅，是一种半导体材料，半导体材料的特点是价电子正好把价带填满，禁带较窄，一般在2个电子伏特时，价带中的电子就可以被激发到导带，于是有导电的本领。I/sSiN是阻挡层。是防止n+a-Si切断时防止刻到下面的a-Si膜。*第40页，共80页，星期日，2025年，2月5日glassSiNxSiOx2PEPi/sSiN阻挡层——O2灰化i/sSiN膜具有亲水性，与光刻胶的密着不好；把亲水性的i/sSiN变成疏水性的SiO；主要反应：SiN+O2→SiO+N2。*第41页