逻辑门和常用组合逻辑电路课件.pptVIP

N型矽襯底N++BSGD。耗盡層PMOS管結構示意圖P溝道3.P溝道絕緣柵場效應管（PMOS）PMOS管與NMOS管互為對偶關係，使用時UGS、UDS的極性也與NMOS管相反。P+P+UGSUDSID開啟電壓UGS(th)為負值，UGSUGS(th)時導通。SGDB符號UGS（th）：NMOS為正，PMOS為負。總結一下MOS的特點2、和三極管不同的是參與導電載流子只有一種或電子或空穴1、MOS管為電壓控制器件，由電壓形成的電場效應來控制管子工作狀態因此稱場效應管.3、由於絕緣柵MOS管的柵極電流IG為零，因此MOS管的輸入阻抗很高，約為109—1015?4、使用時易受干擾1.CMOS反相器AFVP+VDDVN四、CMOS門電路當A為高電平時，VN導通VP截止，輸出F為低電平。當A為低電平時，VP導通VN截止，輸出F為高電平。UGS（th）：NMOS為正，PMOS為負。ABVP1VP2VN1VN2+VDDF2.CMOS與非門VP1與VP2並聯，VN1與VN2串聯；當AB都是高電平時VN1與VN2同時導通VP1與VP2同時截止；輸出F為低電平。當AB中有一個是低電平時，VN1與VN2中有一個截止，VP1與VP2中有一個導通，輸出F為高電平。UGS（th）：NMOS為正，PMOS為負。3.CMOS或非門BVP1VP2VN1VN2+VDDAF當AB中有一個是高電平，VN1與VN2中有一個導通，VP1與VP2中有一個截止，輸出F為低電平。當AB都是低電平時，VN1與VN2同時截止，VP1與VP2同時導通；輸出F為高電平。UGS（th）：NMOS為正，PMOS為負。第三節、邏輯代數的基本運算規則及定理（1）基本運算規則例；：0?0=0?1=1?01?1=10+1=1+0=1+10+0=00=11=01.邏輯代數的基本定律交換律：A+B=B+AA?B=B?A結合律：A+(B+C)=(A+B)+CA?(B?C)=(A?B)?C分配律：A(B+C)=A?B+A?CA+B?C=(A+B)?(A+C)反演定理：A?B=A+BA+B=A?B與：A?0=0A?1=AA?A=0A?A=A或：A+0=AA+1=1A+A=1A+A=A非：A=A（2）基本定律A+AB=A+BA+AB=AA（A+B）=AAB+AC+BC=AB+AC吸收律：例：證明AB+AC+BC=AB+AC解：AB+AC+BC=AB+AC+(A+A)BC=AB+AC+ABC+ABC=AB+ABC+AC+ABC=AB(1+C)+A(1+B)=AB+AC例：證明A+AB=A+B例：證明：若F=AB+AB則F=AB+AB解：F=AB+AB=AB?AB=(A+B)?(A+B)=AA+AB+AB+BB=AB+AB解：A+AB=（A+A）（A+B）=（A+B）A+B=A?B反演定理：A?B=A+B2.利用邏輯代數公式化簡（1）並項法A+A=1（2）吸收法A+AB=A（1+B）=A（3）消去法A+AB=A+B（4）配項法A=A（B+B）例：證明AB+AC+BC=AB+AC解：AB+AC+BC=AB+AC+(A+A)BC=AB+AC+ABC+ABC=AB+ABC+AC+ABC=AB(1+C)+A(1+B)=AB+AC例：證明A+AB=A+B例：證明：若F=AB+AB則F=AB+AB解：F=AB+AB=AB?AB=(A+B)?(A+B)=AA+AB+AB+BB=AB+AB解：A+AB=（A+A）（A+B）=（A+B）吸收法並項法配項法例：化簡F=ABC+ABD+ABC+CD+BD解：F=ABC+ABC+CD+B(AD+D)=ABC+A