高精度低温漂CMOS基准源的设计与性能比较研究.docx

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2025-07-26 发布于上海
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高精度低温漂CMOS基准源的设计与性能比较研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术持续进步与广泛应用的大背景下，电子系统对性能的要求达到了前所未有的高度，高精度低温漂CMOS基准源在众多关键领域发挥着无可替代的作用，成为支撑现代电子设备精准运行的核心要素之一。

从高精度测量领域来看，在科学研究、工业生产中的精密检测环节，如半导体制造过程中对硅片厚度、电路线宽的纳米级精度测量，以及生物医学研究中对生物分子浓度、细胞电生理参数的精确测定，都依赖于高精度的测量仪器。这些仪器的测量精度直接受制于基准源的稳定性和精度。若基准源存在较大的温度漂移，在不同环境温度下，测量仪器的输出信号会产