晶体管及放大电路.pptVIP

知当时由····故为仅考虑时放大电路的下限截止频率第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日···式中为由C2引起的附加相移······当即的影响可以忽略时第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日知当时同理,由····故fL2为仅考虑C2时放大电路的下限截止频率第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日故在一般情况下，对整个电路下限截止频率起决定作用的是旁路电容的容量。由于旁路电容CE折算到基极回路的等效电容为又由于第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日3．高频区的频率响应和上限截止频率+_T+_++++_···第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日0˙这种图形称为波特图第31页，共95页，星期日，2025年，2月5日当时即实际值比小3dB˙第32页，共95页，星期日，2025年，2月5日0˙实际的幅频曲线第33页，共95页，星期日，2025年，2月5日fβ称为晶体管的共射极截止频率由可知˙当f=fβ时˙b.画相频特性曲线第34页，共95页，星期日，2025年，2月5日由相频特性知当ff?(实际只要f0.1f?)时当ff?(实际只要f10f?)时当f=f?时实际上当f=0.1f?或f=10f?时或第35页，共95页，星期日，2025年，2月5日画出的相频特性˙十倍频第36页，共95页，星期日，2025年，2月5日(2)晶体管特征频率fT当f=fT时，˙由于定义故即第37页，共95页，星期日，2025年，2月5日fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标由得f?和fT都与晶体管的静态工作点有关第38页，共95页，星期日，2025年，2月5日(3)晶体管电流放大倍数?=?(f)·可以证明式中?0——晶体管共基极低频电流放大系数f?——晶体管共基极截止频率·第39页，共95页，星期日，2025年，2月5日晶体管共基极截止频率由与的关系通常将的晶体管称为高频管将的晶体管称为低频管将代入上式，得˙第40页，共95页，星期日，2025年，2月5日晶体管共基极截止频率特征频率fβ、fT和fa之间的关系为(4)fβ、fT和fa的关系第41页，共95页，星期日，2025年，2月5日2.8.4单管共射极放大电路的频率响应单管共射极放大电路电路中存在的电容a.耦合电容、旁路电容。b.结电容、极间电容、分布电容及负载电容等。+_T+_++++_···第42页，共95页，星期日，2025年，2月5日放大电路频率响应的分析方法a.将放大电路分为中频、低频和高频三个工作区域。b.分别画出三个区域的微变等效电路。c.分别写出电路在三个区域频率响应的表达式。d.求出相应的参数Aum、fH和fL。e.画出幅频和相频特性曲线。第43页，共95页，星期日，2025年，2月5日不同电容对电路性能的影响a.耦合电容、旁路电容较大，主要影响电路的低频性能。b.结电容、极间电容及分布电容等很小，主要影响电路的高频性能。+_T+_++++_···第44页，共95页，星期日，2025年，2月5日画各个区域等效电路的原则a.低频区考虑耦合电容、旁路电容的作用。结电容、极间电容及分布电容视为开路。b.中频区耦合电容、旁路电容视为短路。结电容、极间电容及分布电容视为开路。+_T+_++++_···第45页，共95页，星期日，2025年，2月5日c.高频区耦合电容、旁路电容视为短路。考虑结电容、极间电容及分布电容的作用。+_T+_++++_···第46页，共95页，星期日，2025年，2月5日1．中频区的频率响应中频区微变等效电路······+_T+_++++_···第47页，共95页，星期日，2025年，2月5日忽略RB············对电路进行简化第48页，共95页，星期日，2025年，2月5日电压放大倍数·········