数字电子技术课件第二章.pptVIP

或门和或非门的多余输入端接逻辑0或者与有用输入端并接第95页，共151页，星期日，2025年，2月5日[例]欲用下列电路实现非运算，试改错。(ROFF?700?，RON?2.1k?)第96页，共151页，星期日，2025年，2月5日解：OC门输出端需外接上拉电阻RC5.1kΩY=1Y=0RIRON，相应输入端为高电平。510ΩRIROFF，相应输入端为低电平。第97页，共151页，星期日，2025年，2月5日2.6CMOS门电路复习内容N沟道增强型P沟道增强型逻辑符号进入可变电阻区的条件进入截止区的条件UGS（TH）0UGSUGS(TH)UGS(TH)0UGSUGS(TH)UGSUGS(TH)UGSUGS(TH)第98页，共151页，星期日，2025年，2月5日图2.6.1CMOS反相器

（a）结构示意图（b）电路图返回一、电路结构第99页，共151页，星期日，2025年，2月5日AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNBAuIYuOVDDSGDDGSBVPVNB增强型NMOS管(驱动管)增强型PMOS管(负载管)构成互补对称结构(一)电路基本结构要求VDDUGS(th)N+｜UGS(th)P｜且UGS(th)N=｜UGS(th)P｜UGS(th)N增强型NMOS管开启电压AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNBNMOS管的衬底接电路最低电位，PMOS管的衬底接最高电位，从而保证衬底与漏源间的PN结始终反偏。.uGSN+-增强型PMOS管开启电压uGSP+-UGS(th)PuGSNUGS(th)N时，增强型NMOS管导通uGSNUGS(th)N时，增强型NMOS管截止OiDuGSUGS(th)N增强型NMOS管转移特性时,增强型PMOS管导通时,增强型PMOS管截止OiDuGSUGS(th)P增强型PMOS管转移特性AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNB2.6.1CMOS反相器的工作原理第100页，共151页，星期日，2025年，2月5日AuIYuOVDDSGDDGSVP衬底BVN衬底BROFFNRONPuO+VDDSDDS导通电阻RON截止电阻ROFFRONNROFFPuO+VDDSDDS可见该电路构成CMOS非门，又称CMOS反相器。无论输入高低，VN、VP中总有一管截止，使静态漏极电流iD?0。因此CMOS反相器静态功耗极微小。◎输入为低电平，UIL=0V时，uGSN=0VUGS(th)N，UIL=0V截止uGSN+-VN截止，VP导通，导通uGSP+-uO?VDD为高电平。AuIYuOVDDSGDDGSVP衬底BVN衬底B截止uGSP+-导通uGSN+-◎输入为高电平UIH=VDD时，uGSN=VDDUGS(th)N,VN导通，VP截止，◎输入为低电平UIL=0V时，uGSN=0VUGS(th)N，VN截止，VP导通，uO?VDD,为高电平。UIH=VDDuO?0V，为低电平。第101页，共151页，星期日，2025年，2月5日图2.6.2CMOS反相器的电压传输特性返回电压传输特性二、电压传输特性和电流传输特性第102页，共151页，星期日，2025年，2月5日图2.6.3CMOS反相器的电流传输特性返回电流传输特性特点：无论输入低电平还是高电平，电流均接近于零，因此功耗低。前面我们已经分别计算过TTL门电路在输入低电平和高电平两种情况下的电源电流，从而可以得知TTL门电路的功耗。第103页，共151页，星期日，2025年，2月5日图2.6.4不同VDD下CMOS反相器的噪声容限返回三、输入端噪声容限结论：电源电压越高，抗干扰能力越强。第104页，共151页，星期日，2025