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本发明提供了一种用于刻蚀晶锭以形成晶圆片的干法刻蚀设备，包括上下两个真空腔体、用于承载晶锭的基座、等离子激发单元、刻蚀气体发生单元、晶片承托装置和控制器。通过上下刻蚀气体同时刻蚀，提高生产效率，降低碳化硅晶圆片在刻蚀过程中发生脆性断裂；将夹持晶锭的基座与旋转电机相连，使晶锭圆柱绕中轴旋转与刻蚀速度相配合，得到表面均匀的碳化硅晶圆片，省去后续的减薄工艺，缩短CMP工艺时间；采用夹持手减少刻蚀得到的晶圆片的磕碰。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316810A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202310839190.5
(22)申请日2023.07.10
(71)申请人厦门云天半导体科技有限公司
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