微电子器件(测验).pptVIP

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2019-09-23 发布于湖北
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微电子器件(测验).ppt

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* 某硅突变 PN 结的 ND = 1.5×1015 cm-3，NA = 1.5×1018 cm-3 ，试求室温下： 1、 VKN 与 VKP 各为多少？ 2、当外加电压 V = 0.80 V 时，pn(xn) 与np(-xp) 各为多少？ 3、内建电势 Vbi 为多少？测验一 2、对于 N 区，V VKN ，为大注入，对于 P 区，V VKP ，为小注入，答案测验二一、1、写出薄基区 PN 结的扩散电流密度 Jdn 、Jdp 的表达式。 2、当 NA ND 时，Jdn与 Jdp 中以哪种电流密度为主？二、1、某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC = 4.4×105 V/cm，雪崩击穿电压为 220 V，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB 。 2、当外加多大的反向电压时，耗尽区宽度达到 xdB /2？答案一、 1、 2、当 NA ND 时， Jdp Jdn 二、1、 2、 1、某 NPN 晶体管的，试求该管的浮空电势。 2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中靠近发射区一侧的少子浓度 nB(0) 是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。测验三答案 VCB ICBO IE = 0 浮空电势 E B C N+ P N np0 np(x) 0 WB P 型基区求下图共发射极 T 形等效电路中与并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？测验四 *