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3Y 3Y 3Y 1X 1X 1X 1Y 1Y 1Y 3X 3X 3X AOI逻辑门和OAI逻辑门 AOI逻辑门(And Or Inverter) 是与或非门， OAI逻辑门(Or And Inverter)是或与非门，是一种十分有用的逻辑设计单元。 两种结构的电路都具有所用晶体管数少，电路工作速度较高的特点。 AOI逻辑门 若用两个与非门、两个倒相器和一个或非门来实现，需要用？支晶体管。 所用晶体管数少 或门和与非门实现的OAI门 一种非对称结构的AOI门 * 标准CMOS静态复合门结构特点 PDN中的NMOS管和PUP中的PMOS管都串联和并联的组合关系，而且它们是串并联对偶网络关系。 复合逻辑单级门的PDN和PUP中的器件都有串联关系，因而上升时间和下降时间都会加大。 复合逻辑单级门完成多级逻辑运算功能，组成较复杂逻辑比较灵活，有利于减少组成集成电路的门的级数，又有利于减小电路整体延迟。 VDD NMOS PDN In1 InN PMOS PUP In1 InN VSS CMOS传输门 CMOS传输门也是CMOS集成电路中的一种基本单元电路，其电路结构与电路图符号如图所示。 在电路设计中，CMOS传输门最基本的用途是作为双向开关：导通电阻不超过数百欧姆；截止电阻却可达千兆欧姆以上。这时传输信号的损失很小，是一种很好的无触点开关。 在讨论CMOS传输门的特性前，我们先讨论NMOS及PMOS单管作为传输门的特点。 CMOS传输门 NMOS 传输门 设Cout的初始电压为零，晶体管的栅压VC=VDD使传输门导通，t=t0时输入端出现一个幅度为VDD的阶跃。 根据电流的流通方向，我们认定NMOS管与输入端相连的电极是漏极，与输出端相连的是源极。 对于NMOS管有: VDSn=VIN-Vout =VDD-Vout VGSn=VDD-Vout=VDSn 因此NMOS管在输入阶跃电压一出现就导通并处于饱和工作状态。 在输出电压上升到：Vout=VDD-VTn 时，VGSn降至它的阈值电压VTn而达到截止状态。输出电压值为： VOUT=VDD-VTN ，而不是VDD 。 NMOS单管传输门对于高电平的输送有损耗。 再设Cout的初始电压为高电平（假设为VDD)，晶体管的栅压VC=VDD使传输门导通，t=t1时输入端出现一个幅度由VDD到0V的阶跃。 根据电流的流通方向，我们认定NMOS管与输入端相连的电极是源极，与输出端相连的是漏极。 对于NMOS管有: VDSn=Vout-VIN =VDD VGSn=VDD-VIN=VDD = VDSn 因此NMOS管处于饱和工作状态。 当Vout下降到VDD-VTn后转入非饱和状态,并维持此状态直到输出电压 Vout =0V。 NMOS单管传输门对于低电平的输送无损耗。 PMOS 传输门 PMOS 传输门与NMOS 传输门的特性是对称的： PMOS单管传输门对于高电平的输送无损耗。 PMOS单管传输门对于低电平的输送有损耗。 为什么上拉网络用PMOS管而下拉网络用NMOS管？ CMOS传输门特性分析 设Cout的初始电压为零，晶体管的栅压使传输门导通，t=t0时输入端出现一个幅度为VDD的阶跃。 对于NMOS管在输入阶跃电压一出现就导通并处于饱和工作状态。在输出电压上升到： Vout=VDD-VTn 时VGSn降至它的阈值电压VTn而达到截止状态。 对于PMOS管栅源电压在输入阶跃电压到来后一直保持不变。开始时晶体管处于饱和状态，当输出电压增大到|VTp|后，晶体管输入非饱和状态，输出电压一直可增大至VDD。 CMOS传输门在输入阶跃电压作用下NMOS管和PMOS管的工作状态 CMOS传输门等效电阻与输出电压之间的关系曲线 由传输门构成的双路混合器或二选一模拟开关 由于A路和B路传输门控制信号极性相反，因控制信号不同而在输出端分别得到A路或B路信号。有： 由CMOS传输门和倒相器构成的异或门如图所示 逻辑变量A同时也作为传输门的控制信号。TG1在A为“0”时导通，传输门的输入为B。TG2在A为“1”时导通，传输门的输入为。其输出逻辑函数为： F＝A’B+AB’=A⊕B 若改变上图电路中传输门控制端的极性为如图所示，就得到了一个异或非门。其输出逻辑函数为： 1、门电 路的噪声容限是指 。 （ ） A．门电路的低电平噪声容限。 B．门电路的高电平噪声容限。 C