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钙钛矿太阳能电池ch3nh3pbi3吸收层的两步连续沉积制备工艺及性能优化物理电子学专业论文
内蒙古大学硕士学位论文PREPAR
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PREPAR ATl0N AND PERFORMANCE OF PEROVSKITE SOLAR CELLS CH3NH3Pbl3 ABSORPTION LAYER PREPARED BY
TWO—STEP SEQUENTL~L DEPOSITl0N PROCEDURE
ABSTRACT
Perovskite solar cells based on organolead trihalides such as CH3NH3Pbl3 represent an eme略ency photoVoltaic techn0109y,attracting much interest in the scienti矗c community.Perovskite 1ight abso叩tion 1ayer plays a critical r01e in the working process of the peroVskite solar cells.This paper repoIrts CH3NH3Pbl3 thin 6lms without Pbl2 residue prepared Via a觚。一step sequential deposition procedure.
We optimized the fabrication parameters and studied the mfluence on photoV01taic
perfomlance of CH3NH3Pbl3 thin films.
First,we prepared CH3NH3Pbl3 film by two-step sequential deposition method, then锄lnealed the film at 75℃for 3 Omin.This p印er studied the访fluence of fabrication parameters on photoVoltaic performance.The thin film is in agreement with the tragonal peroVskite stmctured CH3NH3Pbl3 c巧stals m this paper.We reported that no Pbl2 residue,high c巧stallinity CH3NH3Pbl3 thin films can be deposited by a two-step sequential deposition method inV01Ving dipping访a solution of CH3NH3I followed immediately by a11nealing at 75℃.Ⅵmen the s01ution
temperature is 20,40,60 and 80℃,the optical band gap is 1.473,1.5,1.469 and 1.447 eV’respectiVely,which meet the best abso叩tion range of s01ar 1.45·1.5 eV.The abso叩tion coe所cients of the films were aboVe 4半1 04 cm‘1 in the temperature of the dipping solution at 40℃.MoreoVer,the quality of CH3NH3Pbl3 thin films can
万方数据
内蒙古大学硕士学位论文remarkably
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remarkably be promoted by improVing the c叫stallinity of Pbl2 film,which is
attributed to adding additiVes of chlorobenzene or isopropyl alcoh01.
7ro mnher optimize the perfomlance of CH3NH3Pbl3 tmn films,we pre.spin. coat CH3NH3I film between mesoporous Ti02 layer and Pbl2 f11m and analyze the efI’ects on their properties.The results show that the pre-spin—coating CH3NH3I film ensures no Pbl2 phase,and the surface
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