模拟电子技术基础笔记..docxVIP

TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc363410834 第一章 常用半导体器件 PAGEREF _Toc363410834 \h 1 HYPERLINK \l _Toc363410835 QA: PAGEREF _Toc363410835 \h 1 HYPERLINK \l _Toc363410836 1.1 半导体基础知识 PAGEREF _Toc363410836 \h 1 HYPERLINK \l _Toc363410837 1.1.1 本征半导体 PAGEREF _Toc363410837 \h 1 HYPERLINK \l _Toc363410838 1.1.2 杂质半导体 PAGEREF _Toc363410838 \h 2 HYPERLINK \l _Toc363410839 1.1.3 PN结 PAGEREF _Toc363410839 \h 2 HYPERLINK \l _Toc363410840 1.2 半导体二极管 PAGEREF _Toc363410840 \h 4 HYPERLINK \l _Toc363410841 1.2.1 二极管常见结构 PAGEREF _Toc363410841 \h 4 HYPERLINK \l _Toc363410842 1.2.3 二极管的主要参数 PAGEREF _Toc363410842 \h 5 HYPERLINK \l _Toc363410843 1.2.5 稳压二极管 PAGEREF _Toc363410843 \h 5 HYPERLINK \l _Toc363410844 1.2.6 其他类型二极管 PAGEREF _Toc363410844 \h 5 HYPERLINK \l _Toc363410845 1.3 晶体三极管 PAGEREF _Toc363410845 \h 6 HYPERLINK \l _Toc363410846 1.3.1 晶体管的结构和类型 PAGEREF _Toc363410846 \h 6 HYPERLINK \l _Toc363410847 1.3.2 晶体管的放大作用 PAGEREF _Toc363410847 \h 6 HYPERLINK \l _Toc363410848 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 PAGEREF _Toc363410848 \h 7 HYPERLINK \l _Toc363410849 1.3.4 晶体管的主要参数 PAGEREF _Toc363410849 \h 7 HYPERLINK \l _Toc363410850 1.4 场效应管 PAGEREF _Toc363410850 \h 8 HYPERLINK \l _Toc363410851 1.4.1结型场效应管 PAGEREF _Toc363410851 \h 8 HYPERLINK \l _Toc363410852 1.4.2 绝缘栅型场效应管 PAGEREF _Toc363410852 \h 10 HYPERLINK \l _Toc363410853 第二章 基本放大电路 PAGEREF _Toc363410853 \h 13 HYPERLINK \l _Toc363410854 2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 PAGEREF _Toc363410854 \h 13 HYPERLINK \l _Toc363410855 2.3 放大电路的分析方法 PAGEREF _Toc363410855 \h 14 第一章 常用半导体器件 QA: ?? 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 导体形成电流：导体一般为低价元素，最外层的点子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子，在外电场的作用下产生定向移动而产生电流。 高价元素对电子的束缚力强，外层电子很难挣脱，所以是绝缘体。 半导体用的硅和锗属于4价元素，介于导体和绝缘体中间。 共价键： 共价键中的电子跑出来之后就成为自由电子，在原位置形成空穴。 空穴电流和电子电流，自由电子的定向移动形成电子电流，电子的移动过程中，电子将以一定的方向依次的填补空穴导致空穴也定向产生移动，故而产生空穴电流，半导体相比导体的一个特殊性就是半导体有两种载流子，空穴和电子，而导体只有电子。 本征半导体载流子的浓度公式：ni=pi=K 其中：ni和pi为电子和空穴的浓度 k为波尔兹曼常数（8.63*10-5eV/K） EG0为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁断宽度（硅为1.21eV，锗为0.785eV） K1是与半导体材料载流子有效质量，有效能级密度有关的常量（硅为1