我国IC工业与国外的差距及赶超.docVIP

我国IC工业与国外的差距及赶超 第2L卷3期半导体杂志1996年9月 我国IC工业与国外的差距及赶超 {一,…无蒜㈨.F够 介绍了捌.工业距.包括,腮生工 厂,材料和设备等.提出赶超世界先进水平的几点建议. 关键词:差墅{},阁 TheBackwardnessintheICIndustryofOurCountry ascomparewithForeignCountriesandcatchup withandsurpassadvancedworldlevels AbsIracl TheBackwardnessintheICinductryofourcountryascomparewithforeingcountriesisin— troduced,itconsistofOutput,quality,varietyttechnology.1ineofproduction,investmenttfactory, materialandequiment.Thesuggestionincatchupwithandsurpassadvancedworldlevelsisact— vanced. Keywords:IC,backwardnesstinvestment.factory Ic是微电子工业和微电子技术的核心,是电子工业的基础,是信息产业的粮食,这点 越来越被我国有识人士所认识,并开始被党和国家领导人所认识.经过六五到八 五期间的投资和建设,目前我国Ic工业已初具规模,初步满足国内军民用整机的需要.但 是,我国Ic工业与国外先进国家相比还是落后的,笔者认为约落后15~20年,主要表现 在如下几个方面. 1.起步 我国于1965年研制成功第一块Ic.美国于1958年推出世界第一块ICC.在Ic起步上 我国比美国落后7年,不算太晚.与日本起步的时间相当.韩国70年代中期开始搞Ic,起 步比我国晚,但是目前韩国Ic已居世界第3位,仅次于美国,日本. 2.第几代 目前我国最高集成度的DRAM是4MDRAM,它是首钢NEC公司于1994年研制成 功,并生产,出口.1993年华晶电子集团公司推出我国第一块256KDRAM.日本NEC,日 立公司于1995年初推出世界第一块1GDRAM,1996年初日本三菱,韩国三星公司也研制 成功1GDRAM,相差4代,若以3年为一代,在DRAM上我国比日本约落后12年. ?41? 第2l卷3期半导体杂志l996年9月 3.产量 我国Ic产量达1亿块的时间为1988年,美国为1966年,日本为1968年,在Ic产量 上我国比美国,日本约落后20~22年1989~1991年我国Ic产量徘徊在1亿块左右,1989 年为1.14块,1990年为0.9691亿块,1991年为1.29亿块,1992年以后有所提高,1992 年为1.42亿块,约满足国内Ic市场的281993年为1.7亿块,比上年增长20.2,占 世界Ic总产量的0.38,销售额8亿元,其中LSI为1573.1万块,比上年增长66.6. 1994年为2.21亿块,销售额15亿元,约满足国内Ic市场的22.1995年为4.7亿块,比 上年增长112.1,销售量4.5亿块,比上年增长127.2],总需求量为12亿块.如果90 年代Ic按33速度增长,2000年Ic产量将达17.3亿块.电子部规划2000年Ic产量10 亿块],销售额50亿元,总需求量30亿块[. 4.品种 目前我国Ic品种有3000多种,其中以中小规模Ic为主,约满足国内品种市场的10 左右,LSI,VLSI几乎依赖进口电子部规划2000年年开发Ic能力500种,品种总数达 5000种以上. 5.质量 目前我国Ic可靠性水平约为10～10/小时.60年代末,70年代初,日本民用,工 业用Ic质量已达到当时美军MIL—HDBK217A要求水平.目前美国,日本Ic可靠性水平 达19～1O-1./,J,时.在Ic可靠性上我国比美国,日本约落后2～3个数量级.一般来说, Ic可靠性提高一个数量级约需花费5年左右的时间,提高2～3个数量级,约需10～15年. 6.批量生产 我国批量生产5#m技术产品的时间为1986年,美国和日本约为70年代初,在批量生 产5#m技术产品上我国比美国,日本约落后15年左右.我国研制成功64KDRAM(仅仅 是样品)的时间为1986年,美国和日本试制成功64KDRAM的时间为1978年,批量生产 的时间为1980年,在批量生产64KDRAM上我国比美国,日本约落后10多年.我国批量 生产3/Lm技术产品的时间为1994年,即1993年底华晶电子集团公司建成两条MOSLSI 生产线,这是目前国内白行投资最多,技术水平最高,生产能力最大的LSI生产线,总投 资10.43亿元,总