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1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A 1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图P1.3所示。 2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的(＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“(”，否则打“×”。 图P2.5 （1）（ ） （2）（ ） （3）（ ） （4）（ ） （5）（ ） （6） （ ） （7）（ ） （8）（ ） （9）（ ） （10）（ ） （11）≈20mV ( ) （12）≈60mV ( ) 解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√ 2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的(＝60，=100Ω。 （1）求解Q点、、Ri和Ro； （2）设＝10mV（有效值），问＝？＝？若C3开路，则＝？＝？ 图P2.13 解：（1）Q点： 、Ri和Ro的分析： （2）设＝10mV（有效值），则 若C3开路，则 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的(＝100，=100Ω。 （1）求电路的Q点、、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 图P2.11 解：（1）静态分析： 动态分析： （2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。 3.1 判断图P3.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。 图P3.1 解：（a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基 （e）共源，共集 （f）共基，共集 3.6 图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，=100Ω，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。 图P3.6 解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下： Ad和Ri分析如下： 3.11电路如图3.11所示。已知电压放大倍数为－100，输入电压uI为正弦波，T2和T3管的饱和压降｜UCES｜=1V。试问： （1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？ （2）若Ui＝10mv(有效值)，则Uo＝？若此时R3开路，则Uo=？若R3短路，则Uo=？ P3.11 解：（1）最大不失真输出电压有效值为 故在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax 若Ui＝10mV，则Uo＝1V（有效值）。 若R3开路，则T1和T3组成复合管，等效β≈β1β3，T3可能饱和，使得uO≈－11V（直流）。 若R3短路，则uO≈11.3V（直流）。 5.1