bifeo3sr1xlaxfe12ycoyo19铁电铁磁复合薄膜的制备 微结构与磁电性能研究word格式论文.docxVIP

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bifeo3sr1xlaxfe12ycoyo19铁电铁磁复合薄膜的制备 微结构与磁电性能研究word格式论文

摘 要本文采用传统固相烧结法研究了 BiFeO(3BFO)与 Sr1-xLaxFe12-yCoyO19(x、y=0~0.3)靶 材 的 制 备 工 艺 。 使 用 FJL560B4 型 射频 磁 控 溅 射 设 备 分 别 制 备 了 BFO 和 Sr1-xLaxFe12-yCoyO19 单层膜以及 BiFeO3- Sr1-xLaxFe12-yCoyO19 的叠层式复合薄膜。利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜研究了靶材与薄膜的结构和显微组织;利用震动样品磁 强计、铁电测试仪、I-V 曲线测试仪、磁电耦合测试仪研究了单层膜与复合膜的磁性 能、电性能以及磁电耦合性能的变化。并讨论了 La/ Co 掺杂对薄膜微结构与磁电性 能的影响。主要结论如下:X 射线衍射分析结果表明:靶材的制备中,在 Bi 过量点为 4 at.%,烧结条件为 850℃烧结 20min 可以得到单一的 BFO 相组成的靶材;在烧结条件为 1250℃烧结 2h, 可以得到单一的 SrFe12O19(SFO)相组成的靶材,且当烧结温度超过 1290℃时,会出现 晶粒择优取向的现象;对于 La 掺杂 SFO 靶材,随着掺杂量的增加 XRD 衍射峰会整体 向高角度偏移;对于 Co 掺杂 SFO 靶材,当 Co 含量超过 30 at.%时会形成 Sr2CoFeO5 杂相;薄膜的制备中,在溅射条件为溅射气压 1.5Pa、氧氩比 30:10、溅射功率 80-120W、 溅射时间大于等于 1h,并在空气中 550℃退火 20-30min 时可以得到单一的 BFO 相组 成的薄膜;在溅射条件为溅射气压 1.0Pa、氧氩比 2.5:100、溅射功率 100-120W、溅 射时间大于等于 1h,并在空气中 850℃退火 1-2h 时可以得到单一的 SFO 相组成的靶 材。扫描电子显微分析结果表明:在掺 La 的 SFO 薄膜中,随着掺杂量的增加,晶粒 变得细小,晶粒形态先从粗大条状变成色泽暗淡的小尺寸块状,然后小尺寸块状进一 步团聚成大尺寸块状晶粒;在掺 Co 的 SFO 薄膜中随着掺杂量的增加,晶粒由长条状 变成针状组织,然后晶粒细化,针状组织逐渐消失,并逐渐恢复至呈条状,最后晶粒 进一步细化,变得小而圆润;La、Co 共掺的 SFO 薄膜中同时含有 Co 含量较多的细 长组织和 La 含量较多的混沌状区域,La、Co 的引入会改变 SFO 的生长条件,导致 了晶粒形貌的变化和晶粒择优生长。磁性能测试分析表明:BFO 单层膜在室温下的磁滞回线表现出反铁磁性且在低 磁场中呈弱的铁磁性,其矫顽力约为 84Oe;纯 SFO 单层膜为亚铁磁性,室温下矫顽 力为 4444Oe;La 掺杂 SFO 单层膜时矫顽力总体呈减小态势,最小矫顽力只有 2799Oe; Co 掺杂 SFO 单层膜时磁性能总体呈减小趋势,剩磁比最大为 0.7;La、Co 共同掺杂 SFO 单层膜在掺入量为 30 at.%时矫顽力比未掺杂时增加了 39%,而此时剩磁比仅有 50emu/cm3;SFO/BFO 复合薄膜的矫顽力为 4203Oe,剩磁比为 0.53;掺 La 的 SLFO/BFO 复合薄膜中随着掺入量的增加,矫顽力、剩磁比与剩余磁化强度均递减,掺入量为 30 at.%时磁性能最差;掺 Co 的 SFCO/BFO 复合薄膜中随着掺入量的增加,磁性能先I减小后增加再减小,剩余磁化强度在掺入量为 20 at.%时为最大的 78emu/cm3;La、 Co 共掺的 SLFCO/BFO 复合薄膜中,随掺杂量的增加磁性能先增加后减小,掺入量 为 20 at.%时矫顽力增量为最高的 27%,掺入量为 30 at.%时矫顽力减小了 15%,而剩 余磁化强度表现为一直递减的趋势。电性能 测试 分析结果表明 : La 掺杂的 SLFO/BFO 复合薄膜与 Co 掺杂的 SFCO/BFO 复合薄膜漏电流机制均属于欧姆机制。La 或者 Co 单掺杂对复合薄膜的漏 电流的变化浮动均在 1 个数量级左右;La、Co 共掺的 SLFCO/BFO 复合薄膜的漏电 流水平浮动在两个数量级以内;BFO 在室温下可测得良好形状的电滞回线,测量频 率在 1kHz 下 2Pr 为 0.85μC/cm2,矫顽场为 18kV/cm。测量频率在 2kHz 下 2Pr 为 0.7 μC/cm2,矫顽场为 10.5kV/ cm。磁电耦合性能测试分析结果表明:在固定的外加偏置磁场 210Oe 下测试 1~183kHz 频率范围内的磁电耦合系数变化中并未发现谐振现象,随着测试频率的增加磁电耦合 系数总体呈递增趋势;所有成分点的复合薄膜的磁电耦合系数随 Hbias 的变化均先增 后减,并出现峰值。SFO/BFO 复合薄膜的最大磁电耦合系数 αE=16.4 V/cm

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