施一剑《DSP原理与应用精品教学》实践四 存储器存取及FLASH烧写.docxVIP

实践四 存储器存取及FLASH烧写3.2.2片上存储器实验——DARAM 读写实验3.2.2.1实验目的：1.掌握 DSP 片上的 DARAM 的工作方式；2.了解 DARAM 存储空间的分配。3.2.2.2实验内容：1.DSP 的初始化；2.DARAM 上写数据；3.检查并读取 DARAM 上的数据。3.2.2.3实验背景知识：TMS320VC5416 的片上 DARAM 大小为 64K×16-bit(64K bytes)。DARAM 在一个机器 周期内能被访问两次，因此 DARAM 提高了系统的性能。DARAM 由 8 块 8K×16-bit 模块组 成（见下图）。每个模块在一个周期内能够执行两次读取或一次读取一次写入或两次写入。4 块 DARAM 位于数据空间 000080h－007FFFh 的地址范围内；其余四块 DARAM 位于程 序空间的 18000H-1FFFFH 的地址范围内，这四块 DARAM 通过控制 PMST 寄存器的 DROM 位可映射到数据空间。3.2.2.4实验程序功能与结构说明：3.2.2.4.1DARAM 实验，包含文件：1.DARAM.c：实验的主程序。2.boot.asm：TMS320VC5416 的内存空间以及中断向量表的初始化。3.vector.asm：中断向量表4.dtk_boot.gel：系统的初始化文件。5.DEC5416.cmd： 声明了系统的存储器配置与程序各段的连接关系。3.2.2.4.2程序流程图初始化在片上 DARAM 上写数据读片上 DARAM 数据并检查输出结果463.2.2.4.3实验准备首先将 光盘 下 03. Examples of Program \ 04. SEED-DTK5416 例程 \3.2.2ONCHIP_DARAM 文件夹拷贝到 D：盘根目录下。1. 将 DSP 仿真器与计算机连接好；2. 将 DSP 仿真器的 JTAG 插头与 SEED-DTK5416 单元的 J1 相连接；3. 打开 SEED-DTK5416 的电源。观察 SEED-DTK_MBoard 单元的＋5V，＋3.3V，＋15V，－15V 的电源指示灯是否均亮；若有不亮的，请断开电源，检查电源。3.2.2.4.4实验步骤1.打开 CCS，进入 CCS 的操作环境。2.装入 DARAM.pjt 工程文件，添加 dtk-boot.gel 文件。3.装载 DARAM.out 文件，进行调试。4.在 DARAM.c 程序的第 47 行“for(;;);”处设置断点。5.运行程序，程序会停在断点处，此时可观察数组 SourData 的值与 Errcount（错误 个数）。473.2.3SRAM 测试实验3.2.3.1实验目的：1.认识 SEED-DEC5416 模板外扩得外部存储器 SRAM；2.熟悉 SRAM 的读取操作。3.2.3.2实验内容：1.系统初始化；2.SRAM 的读写操作。3.2.3.3实验背景知识：SRAM 地址分配SEED-DEC5416 模板上还外扩了 SRAM（基本配置为 64K x 16 位，最大可配 512K x16 位）。片外扩展的 SRAM 具体映射则由 SEED-DEC5416 模板上扩展的寄存器 memcntl控制。memcntl 位于’VC5416 的 I/O 空间，其地址为 0x0000；其控制位定义如下：D7D6D5D4D3D2D1D0BootMMAP1MMAP0DPA19DPA18DPA17DPA16DPA15Boot：上电自举控制位，’VC5416 数据空间高 32K 控制权的选择复位值为 00数据空间高 32K 由’VC5416 的 MP/MC 引脚状态决定 MP/MC = 0：外扩的 FLASH 占用数据空间的高 32K MP/MC = 1：外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K1数据空间高 32K 由 MMAP[1:0]控制位决定MMAP[1:0]：‘VC5416 数据空间高 32K 映射选择 复位值为 00B00外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K01外扩的 FLASH 占用数据空间的高 32K10扩展总线的 CE0 空间占用数据空间的高 32K11保留DPA[19:15]：‘VC5416 数据空间的高 32K 扩展至 1M 的页地址 复位值为 00000BBoot = 0 时，储存空间根据 MP/MC 引脚状态自动配置MP/MC 引脚状态 = 0：外扩的 SRAM 占用程序空间的 16～31 页MP/MC 引脚状态 = 1：外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K，页地址由 DPA[19:15]给出；48Boot =1 时，存储空间的映射由 MMAP[1:0]控制位决定，与 MP/MC