电工电子技术教学课件作者秦雯第5章节半导体器件课件幻灯片.pptVIP

1.共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 0 2 4 6 8 4 3 2 1 一般为几十 ? 几百 Q 2.极间反向饱和电流 CB极间反向饱和电流 ICBO， CE极间反向饱和电流 ICEO。 （1）直流电流放大系数 （2）交流电流放大系数 ? 5.3.4 晶体管的主要参数 3.极限参数 （1） ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B极间反向击穿电压。 （2） PCM — 集电极最大允许功率损耗 （3）U(BR)CEO — 基极开路时 C、E极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B极间反向击穿电压。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 5.4　半导体器件的型 号和测试 5.4.2 半导体器件的测试 5.4.1 半导体器件的型号 5.4.1 半导体器件的型号 第一部分 数字 电极数 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 字母(汉拼) 材料和极性 A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN 字母(汉拼) 器件类型 P — 普通管 W — 稳压管 Z — 整流管 K — 开关管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 数字 序号 字母(汉拼) 规格号 例如： 2CP 2AP 2CZ 2CW 3AX31 3DG12B 3DD6 3CG 3DA 3AD 3DK 常用小功率进口三极管 9011 ? 9018 5.4.2 半导体器件的测试 1. 二极管的检测 （1）目测判别极性 触丝 半导体片 （2）用万用表检测二极管 (1)　用指针式万用表检测 在 R ? 1 k 挡进行测量， 红表笔是(表内电源)负极， 黑表笔是(表内电源)正极。 测量时手不要接触引脚。 　　一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧。 　　正反向电阻相差不大为劣质管。 　　正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。 ?1k ? 0 ? 0 ? 0 2 中、小功率晶体管的检测 （1）检测判别电极 1)判定基极和管子的类型。 先将黑表笔接晶体管的一极，然后将红表笔先后接其余的两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的是NPN型管子的基极；若两次测得的阻值一大一小，则黑表笔所接的电极不是晶体管的基极，应另接一个电极重新测量以便确定管子的基极；若将红表笔接晶体管的某一极，黑表笔先后接其余的两个极，若两次测得的电阻都很小，则红表笔接的电极为PNP型管子的基极。 2) 判定集电极c和发射极e。 以NPN型管为例，将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔接在假设的发射极e上，黑表笔接在假设的集电极c上，并且用手捏住b和c极(不能使b和c极直接接触)，读出表头c、e极间的电阻值，然后将黑、红表笔反接重测。若第一次电阻值比第二次小，说明原假设成立，黑表笔所接为晶体管的集电极c，红表笔所接为晶体管的发射极e。 (2) 性能检测 1) 测量极间电阻。以NPN型管子为例。将万用表置于R×100或R×1k挡，用万用电表的黑表笔接管子的基极，红表笔接另外两极，测得的电阻都很小；用红表笔接基极，黑表笔接另外两极，测得的电阻都很大，约为几百千欧至无穷大,则此晶体管是好的，否则就是坏的。 2) 通过用万用表直接测量晶体管c－e极之间电阻的方法，可间接估计 的大小。 5.1 半导体的基础知识 5.2 二极管 5.3 晶体管 5.4半导体器件的型号和检测 第5章 半导体器件 第5章 半导体器件 5.1 半导体的基础知识 5.1.1 本征半导体 5.1.2 杂质半导体 5.1.3 PN结的形成及单向导电性 5.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体的导电能力很弱。 导电性 导体 半导体 绝缘体 大多数金属 硅、锗 塑料、玻璃等 本征半导体的导电性 +4 +4 +4 +4 E + +1 －1 激发 +1 +1 +1 复合 运动 I电子 运动 I空穴 空穴 结论：I=