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InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化
InGaN基量子阱发光二极管光电性能
InGaN基量子阱发光二极管光电性能
的研究与器件设计优化
的研究与器件设计优化
李为军
2009/11/19
InGaN基LED照明的优势
InGaN基LED光源的优点
耗电低
工作寿命长
响应速度快
体积小、重量轻、耐抗击
易于调光、调色、可控性大
绿色环保
可应用于半导体白光照明、大屏幕彩色显示、汽车照明和交通
信号、多媒体显示、光通讯等诸多领域。
报告内容
(一)理论模型的搭建并结合实验考察了InGaN/GaN
QW 内由In组分涨落引起的深局域化能态分布对其发光
特性的影响。
(二)针对传统InGaN/GaN QW构型LED和目前大功率
LED开发中遇到的瓶颈问题芯片较低的发光效率,
设计并优化考察了几种新构型QW结构。
GaN-LED 的简单结构示意图
p-type
0.2um p-GaN
InGaN/GaN
MQW
0.1um n-type
n-GaN
n-GaN 2.5um
GaN Buffer layer
Sapphire
InGaN/GaN LED发光机理的探讨
GaN和InN 的共熔性差, 在InGaN量子阱中形成富In 的区域,
InGaN/GaN LED 的实际发光中心是InGaN或InN类量子点,而不是
量子阱。
阱内InN类量子点的形成
In成分波动形成的能带图
GaN基绿光发光二极管表面发光特性mapping谱图象
10
534.0
532.8
8
532.5
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