InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化.PDFVIP

InGaN基量子阱发光二极管光电性能 InGaN基量子阱发光二极管光电性能 的研究与器件设计优化 的研究与器件设计优化 李为军 2009/11/19 InGaN基LED照明的优势 InGaN基LED光源的优点 耗电低 工作寿命长 响应速度快 体积小、重量轻、耐抗击 易于调光、调色、可控性大 绿色环保  可应用于半导体白光照明、大屏幕彩色显示、汽车照明和交通 信号、多媒体显示、光通讯等诸多领域。 报告内容 （一）理论模型的搭建并结合实验考察了InGaN/GaN QW 内由In组分涨落引起的深局域化能态分布对其发光 特性的影响。 （二）针对传统InGaN/GaN QW构型LED和目前大功率 LED开发中遇到的瓶颈问题芯片较低的发光效率， 设计并优化考察了几种新构型QW结构。 GaN-LED 的简单结构示意图 p-type 0.2um p-GaN InGaN/GaN MQW 0.1um n-type n-GaN n-GaN 2.5um GaN Buffer layer Sapphire InGaN/GaN LED发光机理的探讨 GaN和InN 的共熔性差， 在InGaN量子阱中形成富In 的区域， InGaN/GaN LED 的实际发光中心是InGaN或InN类量子点，而不是 量子阱。 阱内InN类量子点的形成 In成分波动形成的能带图 GaN基绿光发光二极管表面发光特性mapping谱图象 10 534.0 532.8 8 532.5 ) m