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场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量1
场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量1)
邓 楠 张琦锋 李萍剑 中自勇 侯士敏 吴锦雷2)
(北京大学信息科学技术学院电子学系，北京，100871,2)E-mail：jlwu@pktl．edu．cn)
摘 要研究了场效应纳电子晶体管构造过程中金属电极的结构设计，源一漏电极高度、SiO2绝缘
层厚度以及金属电极选材等因素对器件性能有关键的影响。在此基础上测量了单壁碳纳米管束
的场效应行为，构造成功基于单壁碳纳米管束的场效应晶体管。
关键词单壁碳纳米管；化学气相沉积；肖特基势垒；场效应晶体管
中图分类号 TN04；TN103
DesignofField-EffectNano-TransistorsandMeasurementof
TheirElectricalProperty
DENGNan ZHANGQifeng LIPingjian SHENZiyong HOUShimin WUJinlei1
(SchoolofElectronicsEngineeringandComputerScience,DepartmentofElectronics,PekingUniversity,Belting,100871,
1) E-mail :jlwu @ pku . edu . cn )
Abstract Structuredesignofmetalnano-electrodefornano-electronicdeviceisinvestigated.Itisfoundthatthe
heightofthemetalelectrode,thedistancebetweenthesourceanddrainelectrodes,thethicknessoftheSiO2
insulationlayerandthematerialsofthenano-electrodeplayimportantrolesintheelectricalpropertyofthenano
electronicdevice. A single-walled carbon nanotubes bundle based onfield-effecttransistorisfabricated
accordingly,anditsI-Vcharacteristicismeasured.
Keywords singlewalledcarbonnanotube;chemicalvapordeposition;schottkybarriers;field-effecttransistor
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