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医学影像学课件 PN结
三、PN结;1)两种载流子的运动;PN结的形成;2)空间电荷区（耗尽层）：;3)内电场的形成：;4）PN结形成：;PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 ??? 如果外加电压使： ??? PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏； ??? PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。 ;2、PN结的单向导电性;2、PN结的单向导电性;外电路形成极小反向电流反向饱和电流 ;反偏总结：外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 ;PN结的单向导电性：;OA:正向特性;4、PN结的击穿;第 二节 半导体二极管;二、二??管的伏安特性;1）. 正向特性 ??? 当U＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： ??? 当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 ??? 当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 ???;2）. 反向特性 ??? 当U＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：?? ??? 当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 ??? 当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压。 ;??? 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。; ; ; 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： ;;4、稳压管 的伏安特性：;5、稳压管主要参数;小结：;例子：;知识扩展;2、 阻容器件 ;;;
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