太阳能电池用锗单晶.DOC

前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准主要起草单位：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司。 本标准协助起草单位：南京锗厂有限责任公司、中国科学院半导体研究所、北京国晶辉红外光学科技有限公司、厦门乾照光电有限公司。 本标准主要起草人：惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、苏小平、王定武。 太阳能电池用锗单晶 范围 本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 4326 非本征半导体单晶 霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 术语 GB/T 14264规定的术语和定义适用于本标准。 产品分类 分类 锗单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型。 牌号 锗单晶棒的牌号表示按 GB/T14844 的规定。 规格 锗单晶棒按直径分为(76.2mm、(100mm两种规格或由供需双方商定。 技术要求 外形尺寸 锗单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定，如客户对外形尺寸有特殊要求，供需双方另行商定。 锗单晶棒的外形尺寸 单位：mm 直 径 (76.2 (100 直径及偏差 76.2±0.2 100±0.2 长 度 ≥50 ≥50 电学性能 锗单晶棒的电学性能应符合表2规定。 导电类型 掺杂元素 电阻率范围 Ω.cm 载流子浓度 cm-3 P 镓、铟 ≤0.05 ≥1×10 17 N 锑、砷 ≤0.05 ≥1×10 17 电学性能 晶向及偏离度 锗单晶棒的晶向取向为：＜100＞向＜111＞偏α±0.50；＜100＞向＜110＞偏β±0.50。 晶体完整性 外观质量 锗单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2mm2的崩痕或崩边，棒体表面无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。 位错密度和分布要求 不同规格的锗单晶按位错密度分为两个级别，用A级、B级表示，单晶棒的位错密度和位错类型和分布要求应符合表3的规定。 级 别 A级 B级 位错密度（个/cm2） ＜500 500-3000 位错类型 和 分布要求 1）在单晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过0.5mm2 的位错团。 2）如在晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许位错排或位错团是向晶棒轴心方向延伸的。 表3 位错密度和分布要求 试验方法 导电类型检测 按照GB/T 1550 规定的测量方法进行。 外形尺寸检测 用精度为0.02mm的游标卡尺进行测量。 外观质量 用目视法进行观察和测量。 电阻率检测 按照GB/T4326 规定的测量方法进行。 载流子浓度检测 按照GB/T 4326 规定的测量方法进行。 单晶晶向及晶向偏离度检测 按照GB/T 1555 规定的测量方法进行。 位错密度检测 按照GB/T 5252 规定的测量方法进行。 检验规则 检验和验收 产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量证明书。 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同）的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 检验批 每根锗单晶棒作为一个检验批。 检验项目、取样及检验结果的规定 首先对每个检验批进行、导电类型、外形尺寸及外观质量的检验，然后在合格的每根单晶棒的头尾部各切一片（晶片）进行电阻率、载流子浓度、晶向及晶向偏离度的检验，从尾部切一片进行位错密度、类型和分布的检验，检验项目、取样及判定依据见表4。 表4 检验项目、取样及检验结果的规定 序 号 检 验 项 目 要求条款号 试验方法规定 取 样 规 定 1 导电类型 4.1 6.1 1根 （单晶棒） 2 外形尺寸 5.1 6.2 1根 （单晶棒） 3 外观 5.4.1 6.3 4 电阻率(.cm 5.2 6.4 2片 （由1根单晶棒头和尾部所切的单晶片） 5 载流子浓度，cm-3 5.2 6.5 6 晶向及晶向偏离度 5.3 6.6 7 位错类型和分布 5.4.2 6.7 1片（由1根单晶棒尾部所切的单晶片） 不合格判定 若以上检验项目中有任何一项检验不合格，则判定该批产品不合格。 标志、包装、运输和贮存 包装、标志 锗单晶棒用聚苯烯（泡沫）逐棒包装，然后将经过包装的晶棒装入包装箱内，并装满填充物，防止晶棒松动。 包装箱外侧应有“小心轻放”、