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2017-12-13 发布于四川
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4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM SST28SF040A / SST28VF040A SST28SF040A / SST28VF040A5.0 2.7 4Mb (x8) Byte-Program, Small Erase Sector flash memories Data Sheet FEATURES: • Single Voltage Read and Write Operations • Fast Read Access Time – 5.0V-only for SST28SF040A – 5.0V-only operation: 90 and 120 ns – 2.7-3.6V for SST28VF040A – 2.7-3.6V operation: 150 and 200 ns • Superior Reliability • Latched Address and Data – Endurance: 100,000 Cycles (typical) • Hardware and Software Data Protection – Greater than 100 years Data Retention – 7-Read-Cycle-Sequence Software Data • Memory Organization: 512K x8 Protection • Sector-Erase Capability: 256 Bytes per Sector • End-of-Write Detection • Low Power Consumption – Toggle Bit – Active Current: 15 mA (typical) for 5.0V and – Data# Polling 10 mA (typical) for 2.7-3.6V • TTL I/O Compatibility – Standby Current: 5 µA (typical) • JEDEC Standard • Fast Sector-Erase/Byte-Program Operation – Flash EEPROM Pinouts – Byte-Program Time: 35 µs (typical) • Packages Available – Sector-Erase Time: 2 ms (typical) – 32-lead PLCC – Complete Memory Rewrite: 20 sec (typical) – 32-lead TSOP (8mm x 14mm and 8mm x 20mm)